[发明专利]一种栅控晶闸管器件

权利要求书

1.一种栅控晶闸管，包括第一导电类型半导体掺杂衬底(2)，设置于在所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)背面的金属阳极(1)，设置在所述第一导电类型半导体掺杂衬底(2)正面的第二导电类型半导体掺杂外延层(3)，所述第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的顶层表面设置有金属阴极(7)和绝缘栅，其中绝缘栅位于中间，金属阴极(7)位于绝缘栅两边并与之相隔离；所述绝缘栅包括栅介质层(9)及设置于所述栅介质层(9)上表面的多晶硅栅(8)；所述第二导电类型半导体掺杂外延层(3)的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区(4)，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(4)中设置有第二导电类型半导体掺杂阱区(5)，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)中设置有第一导电类型半导体重掺杂区(6)；所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)及部分第一导电类型半导体重掺杂区(6)与金属阴极(7)连接，所述第一导电类型半导体掺杂阱区(4)、第二导电类型半导体掺杂阱区(5)和第一导电类型半导体重掺杂区(6)均与绝缘栅连接；其特征在于，所述第二导电类型半导体掺杂阱区(5)中具有与之导电类型相同的深能级杂质(10)。。

2.根据权利要求1所述的一种栅控晶闸管，其特征在于，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

3.根据权利要求2所述的一种栅控晶闸管，其特征在于，深能级杂质(10)为施主型深能级杂质。

4.根据权利要求1所述的一种栅控晶闸管，其特征在于，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

5.根据权利要求4所述的一种栅控晶闸管，其特征在于，深能级杂质(10)为受主型深能级杂质。

6.根据权利要求1所述的一种栅控晶闸管，其特征在于，深能级杂质(10)的能级位于导带底以下至少0.15eV。

7.根据权利要求1所述的一种栅控晶闸管，其特征在于，第一导电类型半导体或者所述第二导电类型半导体的材料为体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或者锗硅复合材料。