[发明专利]一种隔离膜,其制备方法及使用该隔离膜的二次电池有效

专利信息
申请号: 201710706171.X 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN109411670B 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 何军;喻鸿钢;祝婉侠;金海族 申请(专利权)人: 宁德时代新能源科技股份有限公司
主分类号: H01M50/449 分类号: H01M50/449;H01M50/446;H01M50/403;H01M10/0525
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 352100 福建*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 隔离 制备 方法 使用 二次 电池
【说明书】:

本申请涉及二次电池领域,具体涉及一种隔离膜,该隔离膜的制备方法,以及使用这种隔离膜的二次电池。该隔离膜包括隔离膜基体和设置于隔离膜基体至少一个表面的涂层,涂层内含有无机物颗粒和有机胺。该隔离膜能够明显降低电芯产气,改善二次电池在高温高压下的存储能力。

技术领域

本申请涉及二次电池领域,具体讲,涉及一种隔离膜,该隔离膜的制备方法,以及使用这种隔离膜的二次电池。

背景技术

随着新能源汽车行业的发展,整车的续航能力成为消费者选择的重要参数。各大动力电池厂家都在不断的开发新技术,以提升电池的能量密度,抢占市场先机。高镍材料由于克容量高,受到各大厂家的青睐。但是由于高镍材料具有较强的氧化性,在高温或者高电压下,正极与电解液的副反应会加速并发生氧化反应,造成电池内的CO2量不断提升。因此与其它低镍材料相比,使用高镍材料电池的产气较为严重,对整个电芯系统造成影响。

目前通常采用的方法是抑制电池的产气量,例如优化正极材料、加入电解液添加剂等。这些方法是通过在正极材料表面进行包覆或者提高电解液的抗氧化电位来降低产气。但同时由于正负极表面的成膜更加致密,会造成电池动力学下降,降低电池的低温、倍率和循环等性能。

因此,需要降低二次电池内部产气,尤其是电池在高温高压下的存储产气,同时不影响电池自身的电化学性能。

鉴于此,特提出本申请。

发明内容

为了解决上述问题,本申请人进行锐意研究后发现:通过在隔离膜基体表面设置含有无机物颗粒和有机胺的涂层,能够明显降低电芯产气,延长二次电池在高温高电压下的使用寿命。

本申请的第一目的在于提供一种隔离膜,所述隔离膜包括隔离膜基体和设置于所述隔离膜基体至少一个表面的涂层,所述涂层内含有无机物颗粒和有机胺。

优选地,所述有机胺附着在所述无机物颗粒表面。

优选地,所述有机胺选自脂肪胺、醇胺、酰胺和有机铵盐中的至少一种。

优选地,所述有机胺选自式I、式II、式III、式IV、式V和式VI所示结构式中的至少一种:

其中,R11、R21、R22、R31、R32、R33各自独立地选自C1~C20亚烷基;

R41、R42、R51、R52、R53各自独立地选自氢或C1~C20的烷基;

R61、R62、R63、R64各自独立地选自C1~C20的烷基,X为卤素。

优选地,所述有机胺选自乙二胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、十六烷基三甲基溴化铵、四丁基溴化铵中一种或几种。

优选地,所述无机物颗粒选自氧化硅、氧化铝、勃姆石、二氧化锆、硫酸钡中的至少一种。

优选地,所述无机物颗粒具有微孔,所述微孔的孔径为纳米级,优选所述孔径的直径为5~50nm。

优选地,所述无机物颗粒的粒径为0.1~2μm。

优选地,所述涂层的厚度为1~20μm,优选2~8μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁德时代新能源科技股份有限公司,未经宁德时代新能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710706171.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top