[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年8月24日提交至韩国知识产权局(KIPO)的韩国专利申请No.10-2016-0107708的优先权，该申请的全部公开内容以引用方式并入本文中。

技术领

示例实施例涉及一种半导体装置及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及一种非易失性存储器装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置可以包括具有各种线宽的多个栅极结构。在衬底上形成具有各种线宽的栅极结构会是困难的，另外，栅极结构可能由于随后的处理而损坏。

发明内容

示例实施例提供一种具有改进特性的半导体装置。

示例实施例提供一种制造具有改进特性的半导体装置的方法。

根据示例实施例，半导体装置可以包括第一栅极结构、第二栅极结构、第一封盖绝缘图案、第一间隔件结构以及第一杂质区。第一栅极结构可以在衬底上，并且每个第一栅极结构可以具有第一宽度。第二栅极结构可以在衬底上，并且每个第二栅极结构可以具有大于第一宽度的第二宽度。第一封盖绝缘图案可以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的上部，并且第一开口可以在相邻的第二栅极结构之间。第一间隔件结构可以在由第一开口暴露的每个第二栅极结构和每个第一封盖绝缘图案的侧壁上。每个第一间隔件结构可以包括第一间隔件和第二间隔件。第一杂质区可以位于第一间隔件结构之间的衬底的上部。

根据示例实施例，半导体装置可以包括第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第一封盖绝缘图案、第二封盖绝缘图案、第一间隔件结构、第二间隔件结构。第一栅极结构可以在衬底的第一区上，并且每个第一栅极结构可以具有第一宽度。第二栅极结构可以在衬底的第一区上，并且每个第二栅极结构可以具有大于第一宽度的第二宽度。相邻的第二栅极结构的侧壁可以彼此相对。第三栅极结构可以在衬底的第二区上。第三栅极结构可以具有大于第二宽度的第三宽度。第一封盖绝缘图案可以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的上部，第一开口可以在相邻的第二栅极结构之间。第二封盖绝缘图案可以在第三栅极结构上。可以在由第一开口暴露的每个第二栅极结构和每个第一封盖绝缘图案的侧壁上形成第一间隔件结构。第一间隔件结构可以包括第一间隔件和第二间隔件。第二间隔件结构可以在第三栅极结构和第二封盖绝缘图案的侧壁上。第二间隔件结构可以包括第三间隔件和第四间隔件。

根据示例实施例，制造半导体装置的方法可以包括在衬底上的栅极结构层。可以通过第一图案化处理部分地蚀刻栅极结构层，以在衬底的区上形成多个第一栅极结构。多个第一栅极结构中的每一个可以具有第一宽度。可以形成封盖绝缘层以覆盖多个第一栅极结构和栅极结构层的上部。可以通过第二图案化处理部分地蚀刻封盖绝缘层和栅极结构层以形成多个第二栅极结构和多个第一封盖绝缘图案。多个第二栅极结构中的每一个可以具有大于第一宽度的第二宽度，并且多个第二栅极结构中的相邻的第二栅极结构的侧壁可以彼此相对。第一间隔件结构可以在多个第二栅极结构中的每一个和多个第一封盖绝缘图案中的每一个的侧壁上。第一间隔件结构可以包括第一间隔件和第二间隔件。杂质区可以位于多个第一栅极结构之间的衬底的上部。

根据示例实施例，制造半导体装置的方法可以包括：在衬底的第一区和第二区上形成栅极结构层。可以通过第一图案化处理部分地蚀刻栅极结构层，以在第一区上形成多个第一栅极结构。多个第一栅极结构中的每一个可以具有第一宽度。可以形成封盖绝缘层以覆盖多个第一栅极结构和栅极结构层。可以通过第二图案化处理部分地蚀刻封盖绝缘层和栅极结构层以在第二区上形成多个第二栅极结构、覆盖第一栅极结构和第二栅极结构的上部的第一封盖绝缘图案、以及第三栅极结构和第二封盖绝缘图案。多个第二栅极结构中的每一个可以具有大于第一宽度的第二宽度，并且多个第二栅极结构中的相邻的第二栅极结构的侧壁可以彼此相对。第三栅极结构可以具有大于第二宽度的第三宽度。第一间隔件层可以在第二栅极结构和第三栅极结构、第一封盖绝缘图案和第二封盖绝缘图案以及衬底的表面上。第二间隔件层可以在第一间隔件层上。第一间隔件层和第二间隔件层可被各向异性地蚀刻，以在多个第二栅极结构中的每一个和多个第一封盖绝缘图案中的每一个的侧壁上形成第一间隔件结构，并且在第三栅极结构和第二封盖绝缘图案的侧壁上形成第二间隔件结构。第一间隔件结构可以包括第一间隔件和第二间隔件，第二间隔件结构可包括第三间隔件和第四间隔件。

在根据示例实施例的半导体装置中，包括第一间隔件和第二间隔件的间隔件结构可以在第二栅极结构的侧壁和第三栅极结构的两个侧壁上。因此，间隔件结构可以保护第二栅极结构和第三栅极结构的侧壁。