[发明专利]薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括从下至上顺序地设置的基底、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物有源层以及源极和漏极，

其中，所述金属氧化物有源层包括第一氧化物有源层和第二氧化物有源层，所述第一氧化物有源层的电导率大于所述第二氧化物有源层的电导率。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一氧化物有源层为氧化铟锌薄膜，并具有5nm至20nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二氧化物有源层为掺杂的氧化铟锌薄膜，并具有10nm至50nm的厚度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，掺杂的氧化铟锌薄膜包含从镓、铪、铝和镁中选择的至少一种作为掺杂元素。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述基底为玻璃、塑料或硅片基底。

6.一种制备薄膜晶体管的方法，所述方法包括下述步骤：

在其上形成有栅极的基底上形成栅极绝缘层；

通过水溶液法在所述栅极绝缘层上形成包括第一氧化物有源层和第二氧化物有源层的金属氧化物有源层；以及在所述金属氧化物有源层上形成源极和漏极，

其中，所述第一氧化物有源层的电导率大于所述第二氧化物有源层的电导率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一氧化物有源层为氧化铟锌薄膜，形成所述氧化铟锌薄膜的步骤包括：将硝酸锌粉末和硝酸铟粉末分别溶于去离子水中且将它们混合，然后在室温下搅拌以形成透明的氧化铟锌水性溶液，并将透明的氧化铟锌水性溶液旋涂到所述栅极绝缘层上，以形成所述第一氧化物有源层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在将透明的氧化铟锌水性溶液旋涂到所述栅极绝缘层上之后，将所得物进行退火处理，以形成厚度为5nm至20nm的第一氧化物有源层。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述第二氧化物有源层为氧化铟镓锌薄膜，形成所述氧化铟镓锌薄膜的步骤包括：将硝酸铟、硝酸锌和硝酸镓粉末分别溶于去离子水中且将它们混合，然后在室温下搅拌以形成透明的氧化铟镓锌水性溶液，并将透明的氧化铟镓锌水性溶液旋涂到所述第一氧化物有源层上，以形成所述第二氧化物有源层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在将透明的氧化铟镓锌水性溶液旋涂到所述第一氧化物有源层上之后，将所得物进行退火处理，以形成厚度为10nm至50nm的第二氧化物有源层。