[发明专利]硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法

权利要求书

1.硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

包括以下步骤：

步骤一：将硅片先后置于碱洗液和酸洗液浸泡各15分钟，以使硅片表面羟基化；

步骤二：将步骤一得到的硅片置于巯基丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液中，40℃温度下反应4-10小时，或室温下反应24-40小时，以使硅片硅烷化；巯基丙基三甲氧基硅烷的甲苯溶液中，巯基丙基三甲氧基硅烷的体积浓度1-5%；

步骤三：将步骤二得到的硅片置于0.25mM的硝酸银溶液中浸泡6-24小时；

步骤四：取出步骤三得到的硅片，置于5mM的硼氢化钠溶液中，反应30分钟；

步骤五：取出步骤四得到的硅片，置于硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮的混合溶液中，搅拌30分钟，之后滴入1ml、0.5mM的抗坏血酸溶液；

步骤六：取出步骤五得到的硅片，用去离子水冲洗，重复步骤五2-5次；

步骤七：最后取出反应完的硅片用大量去离子水冲洗，并在去离子水中超声2分钟，吹干。

2.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤一中，碱洗液由氨水、双氧水、水混合得到，体积比为1：1：5。

3.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤一中，酸洗液由盐酸、双氧水、水混合得到，体积比为1：1：5。

4.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤一中，碱洗和酸洗后均用大量去离子水冲洗，并超声清洗2分钟。

5.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤一中，表面羟基化的硅片用氮气吹干。

6.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤二中，硅烷化的硅片分别置于甲苯、乙醇体积比1：1的甲苯/乙醇混合液、乙醇、去离子水中各超声2分钟。

7.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤三中，浸泡后的硅片用去离子水冲洗，超声2分钟。

8.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤四中，反应后的硅片用去离子水冲洗，超声2分钟。

9.根据权利要求1所述的硅片上银纳米颗粒致密层的制备方法，其特征在于：

步骤五中，硝酸银和聚乙烯吡咯烷酮的混合溶液中，硝酸银的浓度为0.25mM，聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.75mM。