[发明专利]机动整合扇出型的系统整合的去耦合电容

说明书

一种机动整合扇出型的系统整合的去耦合电容，包括多个重分布层、介电层和导电结构。多个重分布层形成于装置晶片上，以在封装中提供装置晶片与外部连接件之间的电性连接。介电层设置于所述重分布层之间，以形成电容结构。导电结构形成并耦合于装置晶片和重分布层之间。

技术领域

本揭露是有关于一种半导体装置及其封装方法，且特别是有关于一种利用多个重分布层、电容结构、导电结构和导电层，以旁通或过滤电压尖峰(voltage spikes)的半导体装置及其封装方法。

背景技术

随着制造程序的快速发展，集成电路的操作速度已显著改善。在集成电路元件的高速操作下会引发电压尖峰，为减少来自电压尖峰的冲击，使用去耦合电容来旁通(bypass)或过滤这些电压尖峰。

发明内容

本揭露的一个态样提供一种半导体装置，其包括多个重分布层、介电层和导电结构。多个重分布层形成于装置晶片上，以在封装中提供装置晶片与外部连接件之间的电性连接。介电层设置于所述重分布层之间，以形成电容结构。导电结构形成并耦合于装置晶片和重分布层之间。

附图说明

通过以下详细说明并配合附图阅读，可更容易理解本揭露。在此强调的是，按照产业界的标准做法，各种特征并未按比例绘制，仅为说明的用。事实上，为了清楚的讨论，各种特征的尺寸可任意放大或缩小。

图1为根据本揭露的一些实施例绘示的半导体装置的示意图；

图2为根据本揭露的一些实施例绘示的制造半导体装置的流程图；以及

图3至图23为根据本揭露的一些实施例绘示的图1的半导体装置在不同制程阶段的剖面图。

具体实施方式

以下揭露提供了多个不同实施例，或释例以实现所本揭露主题的不同特征。具体的元件和设置方式将以实施例描述于后以更好地理解本揭示内容的态样，但所提供的实施例并非用以限制本揭露所涵盖的范围。举例而言，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可包含第一部件和第二部件直接接触的实施例，亦可包含形成于第一部件和第二部件之间的附加部件，使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。此外，本揭露在各个实施例中，相同元件可以相同的符号标示来进行说明以便于理解，但其重复仅是为了说明上的简洁和清晰，本身并不代表所描述的各个实施例之间的配置及/或关系。

在全篇说明书与申请专利范围所使用的用词(terms)，通常具有每个用词使用在此领域中、在此揭露的内容中与特殊内容中的平常意义。本说明书中所举的实例，包含本文所讨论的任何用词的实例，仅是示例性的，并非用以限制本揭示内容的任何示例性用词的范围及/或意义。相似地，本揭露并不限定于说明书中给出的各个实施例。

虽然本文中使用“第一”、“第二”等用语描述不同元件，上述元件并不限于所述用语。该用语仅是用以区别以相同技术用语描述的元件或操作。举例而言，在不脱离本揭示内容范围的情况下，可以将第一元件叫做第二元件，相似地，亦可以将第二元件叫做第一元件。此外，本文中所使用的“及/或”，包含相关列举项目中一或多个项目的任意一个以及其所有组合。

于本说明书中所使用的“包含”、“包括”、“具有”等用词为开放式用语，且代表“包含但不限于”。

本说明书也可包括其他特征和制程。例如：可包括测试结构，以帮助三维封装或三维集成电路装置的验证测试。测试结构可例如包括形成于重分布层中或基材上的测试板，其允许三维封装或三维集成电路的测试、探针及/或探针卡的使用以及类似功能。验证测试可于中间结构或最终结构进行。此外，此处所揭露的结构和方法可与包含已知良好的晶片的中间验证的测试方法结合，以增加产率并减少成本。

现在请先参考图1，图1为根据本揭露的一些实施例绘示的半导体装置100的示意图。