[发明专利]静电卡盘及改善破片的方法、半导体制程机台

权利要求书

1.一种静电卡盘，用于对晶圆进行吸附及支撑，其特征在于，包括：

一基座；

一静电吸附盘，设置于所述基座上；

至少三个可升降的顶针机构，设置于所述基座内，所述顶针机构升至一第一预定位置时可用于顶起所述静电吸附盘，所述顶针机构降至一第二预定位置时埋设于所述基座中，其中每个顶针机构包括沿所述顶针机构的升降方向依次排列且相互独立的第一顶针座、第二顶针座以及顶针；

一位置遮断器组件，用于检测所述第一顶针座、所述第二顶针座以及所述顶针在所述基座内所处的位置；以及

一气管组件，用于作为向所述基座内通入气体的路径，以在气体的驱动控制下独立调节所述第一顶针座和第二顶针座的位置。

2.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述基座具有第一腔体及与所述第一腔体连通的第二腔体，所述第一腔体用于容置并限定所述第一顶针座的运动空间，所述第二腔体用于容置所述第二顶针座和所述顶针。

3.如权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述位置遮断器组件包括：第一位置遮断器、第二位置遮断器及第三位置遮断器，所述第一位置遮断器位于所述第一腔体的底部，所述第二位置遮断器位于所述第二腔体的中部，所述第三位置遮断器位于所述第二腔体的顶部，所述第一位置遮断器用于检测所述第一顶针座在所述第一腔体内所处的位置，所述第二位置遮断器和所述第三位置遮断器用于共同检测所述第二顶针座和所述顶针在所述第二腔体内所处的位置；所述位置遮断器组件中每个位置遮断器的工作状态均包括被遮挡状态和未被遮挡状态。

4.如权利要求3所述的静电卡盘，其特征在于，所述气管组件包括第一气管、第二气管及第三气管，所述第一气管嵌接于围成所述第一腔体的基座的体壁内，并临近所述第一顶针座远离所述第二顶针座的一端；所述第二气管嵌接于围成所述第二腔体的基座的体壁内，并临近所述第二顶针座远离所述顶针的一端；所述第三气管嵌接于围成所述第二腔体的基座的体壁内，并临近所述顶针远离所述第二顶针座的一端。

5.一种改善破片的方法，其特征在于，采用如权利要求4所述的静电卡盘进行晶圆的吸附及支撑。

6.如权利要求5所述的改善破片的方法，其特征在于，采用所述静电卡盘进行晶圆的吸附之前和之后分别包括：

预先开启无线射频进行离子注入，以去除吸附所述晶圆前所述静电卡盘表面残留的静电；

延迟关闭无线射频，以去除吸附所述晶圆后所述静电卡盘表面残留的静电。

7.如权利要求6所述的改善破片的方法，其特征在于，采用所述静电卡盘进行晶圆的支撑过程包括：

基于所述位置遮断器组件的工作状态判断结束晶圆吸附后是否除电完全；其中，若所述第一位置遮断器和所述第三位置遮断器均处于未被遮挡状态，所述第二位置遮断器处于被遮挡状态，则判断结束晶圆吸附后除电完全；反之，则判断除电不完全；

基于结束晶圆吸附后是否除电完全的判断结果执行相应操作；其中，当判断结果为除电完全时，则执行采用所述静电卡盘进行晶圆的支撑步骤；当判断结果为除电不完全时，反复执行除电操作直至判断结果为除电完全为止。

8.如权利要求7所述的改善破片的方法，其特征在于，基于所述位置遮断器组件的工作状态判断结束晶圆吸附后是否除电完全的步骤过程中，向所述第一气管通入的气体的压强为85psi～95psi，不向所述第二气管供气，向所述第三气管通入的气体的压强为45psi～55psi。

9.如权利要求8所述的改善破片的方法，其特征在于，当除电完全时，所述顶针高于所述基座表面距离为1.5mm～3.0mm。

10.如权利要求7所述的改善破片的方法，其特征在于，采用所述静电卡盘进行晶圆的支撑步骤的过程中，向所述第一气管通入的气体的压强为85psi～95psi，向所述第二气管通入的气体的压强为85psi～95psi，向所述第三气管通入的气体的压强为45psi～55psi。