[发明专利]一种湿刻蚀装置及方法在审
申请号: | 201710707461.6 | 申请日: | 2017-08-17 |
公开(公告)号: | CN107507792A | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 何军 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人: | 潘中毅,熊贤卿 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种湿刻蚀装置及方法。
背景技术
在液晶显示面板的生产过程中,在基板上制备电路结构时,在基板上涂布导电材料后,再通过光阻材料在导电材料层绘制图形,将光阻材料层进行曝光、显影后,再对基板表面进行刻蚀,得到所需的电路结构。其中,对基板进行刻蚀可以采用干刻蚀和湿刻蚀方式,对基板采用湿刻蚀方式进行刻蚀时,又有两种湿刻蚀方式。第一种是喷头往基板表面喷液模式,即将基板传送至喷头下方,采用喷头喷淋刻蚀液至基板表面,对基板进行刻蚀,但是喷头无法保证其内部的任何角度内部所承受的刻蚀液压力均相等,进而无法保证喷头的任何角度喷出的刻蚀液的流量相同,而且因为喷头一直在喷淋刻蚀液,基板表面置换刻蚀液的速率比较快,这样会导致基板的刻蚀精度也不容易控制,存在刻蚀均一性不好控制问题。当然,在该种湿刻蚀方式下,基板在滚轮上方移动时,通过液刀喷出刻蚀液的液帘,从而可以在基板的表面铺上一层刻蚀液。但由于基板所处的腔体内无刻蚀液浸泡,该刻蚀液可以很快流到基板外区域,并且基板表面的刻蚀液在流动时,其流量有差异,基板表面的不同区域的刻蚀速率不同,刻蚀的效果会有较大的差异,导致基板表面的刻蚀不均匀。
另一种湿刻蚀方式,是直接在设备腔体内填充刻蚀液,将基板浸泡在刻蚀液中进行刻蚀,该种刻蚀方式会增加刻蚀液的耗用量,并且基板表面的刻蚀液的置换速率不够快,导致基板刻蚀速率较慢、刻蚀效率较低,刻蚀基板表面厚度膜层所需时间又比较长,影响刻蚀的效率。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供一种湿刻蚀装置及方法,可以保证基板刻蚀的均一性,也能保证基板的刻蚀速率。
本发明提供的一种湿刻蚀装置,包括:
存储刻蚀液的刻蚀槽;
设置在所述刻蚀槽的内部的多个滚轮,用于承载和传送处于刻蚀液液面以下的待刻蚀的基板;
设置在所述滚轮的上方的喷淋装置,用于向所述基板喷淋刻蚀液。
优选地,在所述刻蚀槽的侧壁上,高于所述基板的预设距离处设置有用于排出刻蚀液的卡槽。
优选地,每一所述滚轮均位于相同高度,且所述滚轮之间相互平行。
优选地,所述喷淋装置包括有若干喷头以及若干导管,所述导管之间相互平行,所述喷头均匀分布在所述导管上,且所述喷头与所述导管之间导通。
优选地,还包括若干相互平行的传送轴,所述传送轴可绕自身轴向转动地固定在所述刻蚀槽上,所述滚轮固定在所述传送轴上,且同一所述传送轴上的所述滚轮之间的间距均相等。
优选地,还包括有液刀,所述液刀固定在所述刻蚀槽上且所述液刀高于所述基板,用于喷出刻蚀液的液帘。
优选地,所述预设距离为3~8毫米。
本发明还提供一种湿刻蚀方法,包括下述步骤:
在刻蚀槽内通过滚轮传送待刻蚀的基板,使所述基板位于喷淋装置的下方;
往刻蚀槽内填充刻蚀液,直至刻蚀液液面高于所述基板,且刻蚀液液面与所述基板之间的距离达到预设值;
通过喷淋装置向基板喷淋刻蚀液,直至所述基板刻蚀完成。
优选地,所述预设值的范围为3~8毫米。
优选地,还包括下述步骤:
检测所述基板上刻蚀得到的电路的线宽,当所述线宽满足预设线宽大小时,则判断所述基板的刻蚀制程符合要求;
所述往刻蚀槽内填充刻蚀液,具体为:
通过液刀对着所述刻蚀槽喷出刻蚀液液帘。
实施本发明,具有如下有益效果:在滚轮上承载待刻蚀的基板,在刻蚀槽中填充刻蚀液,让刻蚀液覆盖待刻蚀的基板,让基板浸泡在刻蚀液中,可以保证基板表面刻蚀的均一性,其次,又通过滚轮上方的喷淋装置喷淋刻蚀液到刻蚀槽中,可以提高基板表面刻蚀液的置换效率,从而可以提高基板的刻蚀速率。因此,本发明提供的湿刻蚀装置及方法既可以保证基板表面刻蚀的均一性,又可以提高基板表面的刻蚀速率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的湿刻蚀装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种湿刻蚀装置,如图1所示,该湿刻蚀装置包括:刻蚀槽1、喷淋装置3、多个滚轮2。
刻蚀槽1存储有刻蚀液的;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造