[发明专利]一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置

权利要求书

1.一种移位寄存器，其特征在于，包括：上拉节点状态保持模块，所述上拉节点状态保持模块分别与第三参考信号端、第四参考信号端以及所述移位寄存器的上拉节点相连；

所述上拉节点状态保持模块用于在所述上拉节点的电位为第一电位时，将所述第三参考信号端的信号提供给所述上拉节点，在所述上拉节点的电位为第二电位时，将第四参考信号端的信号提供给所述上拉节点；其中所述第三参考信号端的电位为所述第一电位，所述第四参考信号端的电位为所述第二电位：

其中，所述上拉节点状态保持模块包括：第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管；其中，

所述第十一晶体管的栅极分别于所述第十三晶体管的第二极和所述第十二晶体管的第二极相连，所述第十一晶体管的第一极与所述第四参考信号端相连，所述第十一晶体管的第二极与所述上拉节点相连；

所述第十二晶体管的栅极与所述上拉节点相连，所述第十二晶体管的第一极与所述第四参考信号端相连，所述第十二晶体管的第二极分别与所述第十一晶体管的栅极和所述第十三晶体管的第二极相连；

所述第十三晶体管的栅极和所述第十三晶体管的第一极均与所述第三参考信号端相连，所述第十三晶体管的第二极分别与所述第十二晶体管的第二极和所述第十一晶体管的栅极相连；

所述第十四晶体管的栅极和所述第十四晶体管的第一极均与所述第三参考信号端相连，所述第十四晶体管的第二极与所述上拉节点相连。

2.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，所述第十二晶体管的沟道宽长比大于所述第十三晶体管的沟道宽长比；

所述第十一晶体管的沟道宽长比大于所述第十四晶体管的沟道宽长比。

3.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：第一输入模块，所述第一输入模块分别与输入信号端、第一参考信号端和所述上拉节点相连；其中，

所述第一输入模块用于在输入信号端的控制下将所述第一参考信号端的信号提供给上拉节点。

4.如权利要求3所述的移位寄存器，其特征在于，所述第一输入模块包括：第一晶体管；其中，

所述第一晶体管的栅极与所述输入信号端相连，所述第一晶体管的第一极与所述第一参考信号端相连，所述第一晶体管的第二极与所述上拉节点相连。

5.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：第二输入模块，所述第二输入模块分别与复位信号端、第二参考信号端和所述上拉节点相连；其中，

所述第二输入模块用于在复位信号端的控制下将所述第二参考信号端的信号提供给所述上拉节点。

6.如权利要求5所述的移位寄存器，其特征在于，所述第二输入模块包括：第二晶体管；其中，

所述第二晶体管的栅极与所述复位信号端相连，所述第二晶体管的第一极与所述第二参考信号端相连，所述第二晶体管的第二极与所述上拉节点相连。

7.如权利要求1所述的移位寄存器，其特征在于，还包括：下拉控制模块，所述下拉控制模块分别与所述上拉节点、所述第三参考信号端、所述第四参考信号端以及所述移位寄存器的下拉节点相连；其中，

所述下拉控制模块用于在所述上拉节点为所述第一电位时，将所述第四参考信号端的信号提供给所述下拉节点，在所述上拉节点为所述第二电位时，将所述第三参考信号端的信号提供给所述下拉节点。