[发明专利]一种波峰为长波长的OLED器件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710707864.0 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN107579170A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 屠国力;戴宗书 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 华中科技大学专利中心42201 代理人: 廖盈春,李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 波峰 波长 oled 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种波峰为长波长的OLED器件的制备方法,其特征在于,包括:

(1)清洗ITO玻璃片;

(2)对清洗后的ITO玻璃片进行吹干以及吹干后的烘箱处理;

(3)对烘箱处理后的ITO玻璃片进行臭氧处理;

(4)将臭氧处理后的ITO玻璃片放入蒸镀仓内,抽真空;

(5)在真空度达到预设真空度值时,依次蒸镀形成空穴注入层、空穴传输层、激子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极,其中,以短波长绿光主体材料掺杂短波长绿光或黄光客体材料蒸镀形成发光层;

(6)蒸镀完成后进行封装得到波峰为长波长的OLED器件。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤(5)中,主体材料的蒸发速率为第一预设速率;客体材料的蒸发速率根据客体材料的掺杂浓度的不同,蒸发速率也不同,掺杂浓度越高,蒸发速率越大;阴极的蒸发速率为第二预设速率,其余各层的蒸发速率均为第三预设速率。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述发光层的主体材料为4CZIPN,客体材料为x%Ir(ppy)3,或者,所述发光层的主体材料为4CZIPN,客体材料为x%Ir(ppy)2(acac),或者,所述发光层的主体材料为4CZIPN,客体材料为x%PO-01,其中,x%表示客体材料的掺杂浓度。

4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述第一预设速率为1埃每秒,所述第二预设速率为3~4埃每秒,所述第三预设速率为1埃每秒。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设真空度值为7x10-4pa。

6.如权利要求1至5任意一项所述方法制备的波峰为长波长的OLED器件。

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