[发明专利]毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线

权利要求书

1.一种毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，其特征在于：从上往下依次层叠：第一金属覆铜层(1)、第一介质层(2)、第二金属覆铜层(3)、第二介质层(4)、第三金属覆铜层(5)；

第一金属覆铜层(1)上纵横方向各刻蚀14-16个尺寸相同的双长缝单元(11)，构成共口径缝隙天线阵列；第一介质层(2)边缘四周设置的贯穿金属化孔(21)与第一金属覆铜层(1)、第二金属覆铜层(3)一起构成两方向上的基片集成波导平行板波导；第二金属覆铜层(3)的纵横方向边缘上各刻蚀的16个耦合缝隙(31)与第一介质层内部纵横各15列相距为2.1mm的贯穿金属化孔(22)、第一金属覆铜层(1)、第二金属覆铜层(3)一起构成基片集成波导层间耦合结构；第二介质层(4)的贯穿金属化孔(41)与第二金属覆铜层(3)、第三金属覆铜层(5)一起构成两个相同的1分16的不等功率分配网络与一个90°耦合器；第三层金属覆铜层(5)边缘处刻蚀两个耦合口径(51、52)，被标准矩形波导的WR-10用作馈电窗口；该耦合器包括4个端口，分别为输入端口、隔离端口、耦合端口和定向端口，耦合器结构完全中心对称，耦合端口与定向端口分别连接两个正交放置的1分16不等功率分配网络，其中耦合端口与定向端口输出幅度相等，并且耦合端口输出相位滞后90°。

2.根据权利要求1所述的毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，其特征在于：选用的基板为Taconic TLY-5，厚度为0.508mm，介质层上铜箔厚度为0.018mm，共口径阵列上的相邻天线单元相距2.31mm，一个天线单元由长33mm、宽0.15mm、相距0.63mm的两根长缝隙组成。

3.根据权利要求1所述的毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，其特征在于：第二金属覆铜层(3)上的耦合缝隙(31)的尺寸均为1.4mm×0.5mm，位置据末端金属通孔中心为1.45mm。

4.根据权利要求1所述的毫米波基片集成波导双圆极化低副瓣共口径阵列天线，其特征在于：不等功率分配网络左右对称，第二级不等功率分配器枝节(42)的枝节宽度w1为1.64mm，w2为1.45mm，中心调谐孔偏置为0.15mm；第三级不等功率分配器枝节(43、44)的枝节宽度w1分别为1.86mm、1.85mm，w2分别为1.68mm、1.68mm，中心调谐孔偏置分别为0.21mm、0.21mm；第四级不等功率分配器枝节(45-48)的枝节宽度w1分别为1.85mm、1.64mm、1.54mm、1.54mm，w2分别为1.68mm、1.3mm、1.4mm、1.46mm，中心调谐孔偏置分别为0.3mm、0.3mm、0.3mm、0mm。