[发明专利]一种单层芯片电容器的制备方法及单层芯片电容器

权利要求书

1.一种单层芯片电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，基片外观检查和吸水率检测；

步骤二，对陶瓷基片进行清洗；

步骤三，对基片烧成；将放有基片的载片放入高温炉中烧成，烧成温度为(600±100)℃，保温时间为(60±30)min；

步骤四，将清洗好的基片放置在溅射机内；设置溅射参数，对溅射机进行腔体加热；基片采用自转和公转方式，采用直流溅射的方式进行溅射，同时采用在线监测系统，实时监测溅射膜厚；先溅射过渡层钛钨合金靶材，再溅射Ni靶材，然后溅射Au靶材；

步骤五，关掉加热装置，随炉冷却至少8h后，将基片取出；

步骤六，热处理，将溅射好的基片进行真空热处理；

步骤七，切割金属化后的陶瓷基片；

步骤八，分选；

步骤九，对产品进行100％温度冲击和电压处理筛选；

步骤十，将产品装盒、包装。

2.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤一中的介质陶瓷基片的吸水率为0.08％～0.35％。

3.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的超声波清洗机中进行清洗的清洗剂的浓度为5％。

4.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中对溅射机进行腔体加热的温度为150℃～400℃。

5.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的溅射过渡层钛钨合金靶材的真空度为9.0×10^-3～1.0×10^-5pa，溅射功率为200W～600W，溅射时间为100s～600s。

6.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的溅射Au靶材的真空度为9.0×10^-3～1.0×10^-5pa，溅射功率为200W～600W，溅射时间为800s～1200s。

7.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤四中的溅射Ni靶材的真空度为9.0×10^-3～1.0×10^-5pa，溅射功率为200W～600W，溅射时间为2800s～3800s。

8.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤六中的真空热处理温度为200℃～700℃，热处理时间为20h～72h。

9.根据权利要求1所述的单层芯片电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤七中的主轴转速设置为26000～34000转/分，切割速度设置为0.3～0.8mm/s。

10.一种单层芯片电容器，通过权利要求1-9任一项所述的单层芯片电容器的制备方法制作而成，其特征在于：所述单层芯片电容器包括相对的第一电极板和第二电极板，所述第一电极板和所述第二电极板之间构成容置腔，所述第一电极板包括第一金电极层、第一镍电极层以及第一钛钨合金过渡层，所述第二电极板包括第二金电极层、第二镍电极层以及第二钛钨合金过渡层；所述第一金电极层安装在所述第一镍电极层上，所述第一镍电极层安装在所述第一钛钨合金过渡层上；所述第二金电极层安装在所述第二镍电极层上，所述第二镍电极层安装在所述第二钛钨合金过渡层上；所述容置腔中填充有基体陶瓷层。