[发明专利]一种微型超级电容器的制备工艺

权利要求书

1.一种微型超级电容器的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，压印模板的制备：在硅片表面利用光刻与刻蚀工艺加工出所需要的叉指电极的图形结构，然后将PDMS混合物旋涂在硅片表面，加热固化后，将PDMS从硅片表面揭下，得到压印模板；

第二步，叉指电极沟道的制备：采用PET薄膜作为柔性基底，在上面旋涂紫外固化胶液体，利用压印模板压印紫外固化胶，然后在紫外灯下照射固化后，制备出叉指电极沟道；

第三步，叉指电极的刮涂成形：首先，在叉指电极沟道表面，滴加用于制备电容器件的导电材料，然后利用刮刀将导电材料刮进沟道内，在烘台上加热至120℃，经过30s后，再将表面多余的导电材料擦掉，只保留叉指电极沟道内的导电材料，在烘台上加热至120℃，经过20min，得到叉指电极；

第四步，电解质材料的成形：在叉指电极表面旋涂上PVA/H₂SO₄电解质的水溶液，经过自然蒸发固化，水分蒸发完全，就制备出了固体的微型超级电容器。

2.根据权利要求1所述的一种微型超级电容器的制备工艺，其特征在于：所述的导电材料为CNT或PEDOT。

3.根据权利要求1所述的一种微型超级电容器的制备工艺，其特征在于：在叉指电极深度h1为10μm时，叉指电极的宽度w1线宽最下达到5μm，间距w2最小达到5μm，能够实现微型超级电容器的制备。