[发明专利]用于低电磁干扰的耦合感应器

权利要求书

1.一种用于低电磁干扰的耦合感应器，包括：

多个线圈；和

复合磁芯，所述复合磁芯包括由第一磁性材料形成的耦合磁结构，所述耦合磁结构被嵌置在由具有分布间隙的第二磁性材料形成的漏磁结构中，所述耦合磁结构将所述多个线圈磁性耦合在一起并具有：

在第一方向上彼此分离开的第一梯杆和第二梯杆，所述第一梯杆包括在正交于所述第一方向的第二方向上成排放置的多个第一梯杆子段，所述第二梯杆包括在所述第二方向上成排放置的多个第二梯杆子段；和

多个梯级，所述多个梯级中的每一个在所述第一方向上将所述第一梯杆与所述第二梯杆连结起来，所述多个线圈中的每一个被至少部分地缠绕在所述多个梯级中的相应的一个的周围；

所述漏磁结构提供了用于所述多个线圈的漏磁通量路径并且将所述线圈相对于外部部件屏蔽住以将与所述线圈的耦合最小化。

2.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述第一磁性材料具有大于所述第二磁性材料的磁导率。

3.根据权利要求2所述的耦合感应器，其中，所述第一磁性材料包括铁氧体材料，并且所述第二磁性材料包括位于粘合剂内的铁粉材料。

4.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述漏磁结构至少部分地覆盖住所述多个线圈。

5.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述复合磁芯被构造成，使得所述漏磁结构在所述第一方向上在所述第一梯杆与所述第二梯杆之间提供了用于漏磁通量的路径。

6.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述漏磁结构在所述第一方向上以所述第一梯杆与所述第二梯杆为界。

7.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中：

相邻的第一梯杆子段在所述第二方向上彼此分离开；以及

相邻的第二梯杆子段在所述第二方向上彼此分离开。

8.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述漏磁结构包括在所述第二方向上被连结起来的多个漏子段。

9.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述漏磁结构包括在所述第二方向上彼此分离开的多个漏子段。

10.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述耦合感应器被至少部分地嵌置在所述漏磁结构中。

11.根据权利要求1所述的耦合感应器，其中，所述耦合感应器还包括被嵌置在所述漏磁结构中的一个或多个磁通量阻抑结构。