[发明专利]用于处理载体的方法和电子部件有效
申请号: | 201710711881.1 | 申请日: | 2014-06-19 |
公开(公告)号: | CN107302026B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | K.普吕格尔;G.鲁尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L29/16;H01L21/335;H01L29/778 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;张涛 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 载体 方法 电子 部件 | ||
公开了一种用于处理载体的方法和电子部件。在各个实施例中,提供一种处理载体的方法。所述用于处理载体的方法包括:在载体上形成第一催化金属层;在第一催化金属层上形成源层;在源层上形成第二催化金属层,其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度;和随后进行退火,以使得能够进行源层的材料的扩散,以由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。
本申请是申请号为2014102748784、发明创造名称“用于处理载体的方法和电子部件”的专利申请的分案申请。
技术领域
各个实施例一般涉及用于处理载体的方法,以及电子部件。
背景技术
一般地,利用半导体行业的典型处理,形成很薄的材料层,例如,具有层厚在纳米级,或者甚至层厚小于1纳米的材料层非常有挑战性。然而,对电子器件和集成电路技术来说,所谓的二维材料非常有吸引力。例如,包括成六边形布置的一层碳原子的石墨烯具有优良的电子特性,使例如具有增加的响应和/或开关行为的晶体管的制造成为可能。此外,与对应的块体材料相比,超薄的材料层具有增强的特性。于是,二维材料对于微电子学,例如,对于开发各种类型的传感器、晶体管等而言可能很重要,其中富有挑战性的任务可能是把这些二维材料并入到微芯片中以用于模拟普通的硅技术。
发明内容
在各个实施例中,提供一种用于处理载体的方法。所述用于处理载体的方法可包括:在载体上形成第一催化金属层;在第一催化金属层上形成源层;在源层上形成第二催化金属层,其中第二催化金属层的厚度大于第一催化金属层的厚度;随后进行退火,以使得能够进行材料从源层的扩散,从而由源层的扩散材料形成与载体的表面邻接的界面层。
附图说明
附图中,相同的附图标记贯穿不同的视图一般提及相同的部分。附图不一定是按比例的,相反,一般地重点被放在图解本发明的原理上。在下面的描述中,参照下面的附图来描述本发明的各个实施例,附图中:
图1示出按照各个实施例的用于处理载体的方法的示例性流程图;
图2A-2F分别示出按照各个实施例,在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的载体;
图3A和3B分别示出按照各个实施例,在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的图案化载体;
图4A-4C分别示出按照各个实施例,在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的载体;
图5A和5B分别示出按照各个实施例,在用于处理载体的方法期间的各个处理阶段的图案化载体;以及
图6示出注入块体镍材中的碳的示例性离子注入分布图。
具体实施方式
下面的详细描述提及随附的附图,所述附图以图解方式示出其中可实践本发明的具体细节和实施例。
下面的详细描述提及随附的附图,所述附图以图解方式示出其中可实践本发明的具体细节和实施例。足够详细地描述了这些实施例,以使本领域的技术人员能够实践本发明。可以在不脱离本发明的范围的情况下利用其它的实施例,并且可以作出结构、逻辑和电气改变。各个实施例不一定相互排斥,因为一些实施例可以与一个或更多的其它实施例结合,从而形成新的实施例。关于各种方法描述了各个实施例,并且关于各种器件描述了各个实施例。然而,可以明白关于各种方法描述的各个实施例可类似地应用于各种器件,反之亦然。
这里,用语“示例性”被用于意味“充当例子、实例或图解”。这里描述成“示例性”的实施例或设计不一定被解释成优于或者比其它实施例或设计有利。
用语“至少一个”和“一个或更多个”可被理解成包括大于或等于1的任意整数,即1、2、3、4等。
用语“多个”可被理解成包括大于或等于2的任意整数,即2、3、4、5等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710711881.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种沟槽式晶体管及其制造方法
- 下一篇:半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类