[发明专利](001)取向CdS柔性可拉伸光敏薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性且具有拉伸性能的光敏材料，其特征在于，所述光敏材料包括柔性基底，位于柔性基底上的缓冲层，以及位于缓冲层上的(001)取向的CdS薄膜；所述缓冲层由贵金属薄膜和熔点在200℃以下的低熔点金属薄膜构成，且缓冲层的贵金属薄膜一侧与柔性基底接触，缓冲层的低熔点金属薄膜一侧与CdS薄膜接触。

2.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述贵金属薄膜的厚度为2nm～30nm。

3.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述低熔点金属薄膜的厚度为5nm～20nm。

4.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述CdS薄膜的厚度为20nm～1000nm。

5.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述缓冲层中的低熔点金属薄膜为功函数与CdS薄膜匹配的金属薄膜。

6.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述缓冲层中的低熔点金属薄膜为铟薄膜。

7.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底为高分子聚合物柔性基底。

8.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底为硅橡胶材料。

9.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底为拉伸率大于200％的硅橡胶材料。

10.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述柔性基底的厚度不超过0.5cm。

11.根据权利要求1所述的光敏材料，其特征在于，所述CdS薄膜的拉伸率大于10％。

12.如权利要求1所述的光敏材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)在柔性基底上制备电阻率在5KΩ·m～5MΩ·m的缓冲层；

(2)采用磁控溅射的方法在缓冲层上制备(001)取向的CdS薄膜，且磁控溅射的工艺参数为：靶枪功率密度为5W/m²～10W/m²，真空背底气压小于9×10^-4Pa，工作气压为0.5Pa～10Pa；

(3)退火，得到柔性且具有拉伸性能的光敏材料；

步骤(1)所述缓冲层由贵金属薄膜和熔点在200℃以下的低熔点金属薄膜构成，且缓冲层的贵金属薄膜一侧与柔性基底接触，缓冲层的低熔点金属薄膜一侧与CdS接触。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，步骤(1)在柔性基底上制备缓冲层的过程为：

(A)在柔性基底上通过磁控溅射制备贵金属薄膜；

(B)然后在贵金属薄膜上制备熔点在200℃以下的低熔点金属薄膜，从而在柔性基底上形成由贵金属薄膜和低熔点金属薄膜构成的缓冲层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(A)所述磁控溅射为直流或射频磁控溅射。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(A)所述磁控溅射的过程中，靶枪功率密度为1W/m²～10W/m²，工作气压为0.5Pa～10Pa。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(A)所述磁控溅射的过程中，真空背底气压小于9×10^-3Pa。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，步骤(A)所述磁控溅射的过程中，样品台温度为25℃～200℃，生长时间优选为1s～30s。