[发明专利]一种硅片激光掺杂SE的扩散工艺在审
| 申请号： | 201710712207.5 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107394012A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘阳 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 激光 掺杂 se 扩散 工艺 | ||
1.一种硅片激光掺杂SE的扩散工艺，所述硅片的制备工艺过程，包括对硅片依次进行清洗、扩散、激光掺杂、洗磷、背钝化、硅片正面镀膜、硅片背面镀膜、激光开孔和丝网印刷，其特征是：所述扩散工艺具有如下步骤：
1、将清洗过后的硅片放于石英舟上推入扩散炉内，将炉内温度升至750～800℃；
2、在扩散炉内对硅片表面进行前氧化预处理，处理时间为3～15min；
3、向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行第一层磷源的沉积，沉积时间为5～20min，形成扩散第一层磷层，同时将炉内温度升至780～800℃；
4、停止通入携带POCl3的氮气，并将扩散炉内的温度升至800～900℃，对硅片作高温推进处理，推进时间为3～15min；
5、再次向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行第二层磷源的沉积，沉积时间为5～20min，形成扩散第二层磷层，炉内温度升至810～910℃；
6、停止通入携带POCl3的氮气，并将扩散炉内的温度升至820～920℃，对硅片作高温推进处理，推进时间为3～15min；
7、在扩散炉内对硅片表面进行后氧化处理，处理时间为3～15min；
8、附磷层沉积：向扩散炉通入携带POCl3的氮气进行磷源的沉积，沉积时间为5～20min，形成附磷层，同时将炉内温度下降至700～810℃；
9、扩散炉内停止通入携带POCl3的氮气，对所述的硅片进行氮气吹扫；
10、扩散处理结束，将石英舟推出扩散炉，取出设于石英舟上的硅片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
