[发明专利]一种用于压接型IGBT的驱动隔离电源

权利要求书

1.一种用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，包括高电位自取能电路、PWM控制电路和主体电路；所述主体电路包括反激隔离变压器、开关电路和有源钳位电路；所述PWM控制电路包括前馈电路；

所述高电位自取能电路用于为PWM控制电路和主体电路供电；

所述PWM控制电路用于根据前馈电路产生两路PWM信号，其中一路PWM信号接入开关电路，另一路PWM信号接入有源钳位电路；

所述反激隔离变压器用于将PWM信号和驱动信号进行隔离；

所述开关电路用于将接入其中的PWM信号进行放大，并根据接入其中的PWM信号生成驱动信号；

所述有源钳位电路用于根据接入其中的PWM信号吸收IGBT的尖峰电压。

2.根据权利要求1所述的用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，所述PWM控制电路还包括过流保护电路、欠压保护电路、时钟电路和PWM控制芯片；

所述PWM控制芯片包括斜坡输入管脚、指令值输入管脚、片选管脚、欠压锁定管脚、时钟管脚、第一输出管脚和第二输出管脚。

3.根据权利要求2所述的用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，所述前馈电路与斜坡输入管脚和指令值输入管脚相连，所述过流保护电路与片选管脚相连，所述欠压保护电路与欠压锁定管脚相连，所述时钟电路与时钟管脚相连，所述开关电路与第一输出管脚相连，所述有源钳位电路与第二输出管脚相连。

4.根据权利要求3所述的用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，所述反激隔离变压器包括磁环、高压绕组和二极管D_X；

所述磁环包括第一初级端口、第二初级端口、第一次级端口和第二次级端口，所述第一初级端口和第二次级端口为异名端，所述第二初级端口和第一次级端口为同名端。

5.根据权利要求4所述的用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，所述第一初级端口连接高电位自取能电路，所述第二初级端口连接开关电路，所述第一次级端口连接二极管D_X的正极，所述二极管D_X的负极为反激隔离变压器输出电压的正极，所述第二次级端口为反激隔离变压器输出电压的负极。

6.根据权利要求4所述的用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，所述高压绕组采用硅橡胶安装线；所述硅橡胶安装线包括导线和绝缘层；

所述硅橡胶安装线的电流密度按下式计算：

Je=Jr12(r1+r2)2]]>

其中，J_e表示硅橡胶安装线的电流密度，r₁表示导线的半径，r₂表示绝缘层的厚度，J表示导线的电流密度。

7.根据权利要求5所述的用于压接型IGBT的驱动隔离电源，其特征在于，所述开关电路包括第一MOS管和限流电阻R_N；

所述第一MOS管的栅极与PWM控制芯片的第一输出管脚相连，同时连接限流电阻R_N的第一端；所述第一MOS管的源极与PWM控制电路的过流保护电路相连，同时连接限流电阻R_N的第二端；所述第一MOS管的漏极与反激隔离变压器的第二初级端口相连。