[发明专利]一种用于制作三维无源集成器件的键合体及器件制作方法有效
申请号: | 201710713141.1 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107564826B | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 徐健 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/538;H01L25/065 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 陈博旸 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制作 三维 无源 集成 器件 合体 制作方法 | ||
1.一种三维无源集成器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
分别在多个晶圆衬底中形成导体;
分别在所述多个晶圆衬底表面露出所述导体的位置进行布线形成布线层;
分别在所述布线层表面形成键合面;
利用所述键合面将所述多个晶圆衬底进行堆叠键合以形成键合体;
对所述键合体进行处理以形成三维无源集成器件;
其中,所述分别在多个晶圆衬底中形成导体的步骤包括:
分别在部分晶圆衬底的正面相同位置进行开槽处理形成腔体;
分别在所述腔体的内壁上内壁及内壁与所述晶圆衬底的衔接处形成导体材料;
分别对具有所述腔体的晶圆衬底的背面进行减薄处理以使其背面露出所述导体材料;
在未开槽的晶圆衬底正面与开槽的晶圆衬底的开槽位置相应的位置形成导体层;
所述对所述键合体进行处理以形成三维无源集成器件的步骤包括:
在使所述部分晶圆衬底的腔体内壁形成导体材料后的腔体空隙中填充第一绝缘材料;
在所述键合体的顶层表面形成第二绝缘材料,并露出所述导体材料作为电极。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述利用所述键合面将所述多个晶圆衬底进行堆叠键合以形成键合体的步骤中,将未开槽的晶圆衬底作为所述键合体的底层。
3.一种用于制作三维无源集成器件的键合体,其特征在于,包括:
多个晶圆衬底,所述晶圆衬底中具有导体;
所述晶圆衬底的表面露出所述导体的位置附有布线层;
所述布线层上面具有键合面;
所述多个晶圆衬底通过所述键合面键合组成键合体;
所述键合体的顶层表面附有第二绝缘材料,并露出所述导体材料作为电极;
所述键合体中最底层的晶圆衬底表面与具有腔体的晶圆衬底的对应位置附着所述导体材料;
组成所述键合体中其它层的晶圆衬底的相同位置具有多个腔体,所述腔体的内壁及内壁与表面的衔接处附着所述导体材料,所述腔体内壁形成导体材料后的腔体空隙中填充第一绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的用于制作三维无源集成器件的键合体,其特征在于,所述键合面由铜、镍、锡、银中的至少一种材料构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造