[发明专利]半导体封装及半导体封装的标记方法在审
| 申请号： | 201710713264.5 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN108630627A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 高野勇佑 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/544;H01L23/552;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体封装 密封材料 屏蔽膜 上表面 半导体元件 氧化钛 侧面 视认性 二价 四价 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体封装，其特征在于具备：
半导体元件；
密封材料，设置在所述半导体元件的侧面上及上表面上；
屏蔽膜，设置在所述密封材料的侧面上及上表面上；以及
识别膜，设置在所述屏蔽膜的上表面上，具有含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于：
所述识别膜还设置在所述屏蔽膜的侧面上，含二价氧化钛的部分设置在所述屏蔽膜的侧面上的识别膜中。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装，其特征在于：
还具备设置在所述屏蔽膜及所述识别膜之间的保护膜。
4.一种半导体封装的标记方法，其特征在于具备如下步骤：
在配置于衬底的半导体元件上形成密封材料；
以覆盖所述半导体元件的方式在所述密封材料上形成屏蔽膜；
在所述屏蔽膜上形成含氧化钛的识别膜；以及
对所述识别膜照射激光，形成含二价氧化钛的第1部分及含四价氧化钛的第2部分。
5.根据权利要求4所述的半导体封装的标记方法，其特征在于：
还具备在所述屏蔽膜与所述识别膜之间形成保护膜的步骤。
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