[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201710713452.8 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107527923B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 司秀丽;芮洲;江鹏;杨海鹏;戴珂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1368;G02F1/1362;G02F1/1337 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张京波;曲鹏<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括:在非显示区的标记区域形成第一标记图案,并形成覆盖非显示区的第一绝缘层;在非显示区形成半导体图案,半导体图案用于减少标记区域与相邻区域之间的段差;形成覆盖非显示区的第二绝缘层,通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。通过在非显示区形成半导体图案,并刻蚀标记区域的第二绝缘层,减小了标记区域与相邻区域之间的段差,改善了段差对摩擦滚轮绒布纤维的损伤,提升了摩擦配向良率。本发明实施例还提出了一种采用上述制备方法制备而成的阵列基板,同时还提出了一种包括该阵列基板的显示面板。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
液晶显示面板(liquid crystal displays,LCDs)包括阵列基板、彩膜基板和其间的液晶层。在阵列基板和彩膜基板上分别涂布配向膜,对配向膜进行配向处理后,将阵列基板和彩膜基板对盒形成液晶面板。现有的配向技术有非摩擦(Non-Rubbing)型和摩擦(Rubbing)型两大类。非摩擦型配向技术包括光配向和离子束配向等。虽然光配向和离子束配向技术具有较好的配向效果,但生产效率低、成本高,较少在LCD领域中应用。摩擦型配向是在配向膜表面用绒布滚轮进行接触式的定向机械摩擦,摩擦配向膜表面所提供的能量使配向膜的分子链因延伸而定向排列,从而控制液晶配向排列。摩擦型配向因其摩擦时间短,量产性高而广泛应用。
LCD面板制程中,存在一些位于摩擦方向上的标记区域,当位于摩擦方向上的标记区域与相邻区域的段差超过阈值时,在进行摩擦配向时,会因绒布表面毛细纤维的压入力度、与配向膜的接触强度发生变化,损伤摩擦辊轮的绒布纤维。绒布纤维损伤后,导致摩擦辊轮对显示区进行摩擦配向时出现摩擦不良,引起液晶偏转紊乱。在黑态时,液晶发生偏转,形成摩擦方向上的黑线不良。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以解决现有摩擦配向时存在的损伤摩擦滚轮绒布纤维的缺陷。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法,阵列基板包括显示区和非显示区,该制备方法包括:
在非显示区的标记区域形成第一标记图案,并形成覆盖非显示区的第一绝缘层;
在非显示区形成用于减少标记区域与相邻区域之间的段差的半导体图案;
形成覆盖非显示区的第二绝缘层,通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层。
可选地,所述第一标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的栅电极同层设置,并通过一次构图工艺形成。
可选地,所述半导体图案与位于显示区的薄膜晶体管的有源层同层设置,并通过一次构图工艺形成。
可选地,所述半导体图案包括在非显示区的标记区域形成的第一半导体图案。
可选地,所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层,包括:通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层,使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐,或完全去除标记区域的第二绝缘层,暴露出标记区域的第一半导体图案。
可选地,所述半导体图案包括在标记区域之外的非显示区形成的第二半导体图案。
可选地,制备方法还包括在标记区域形成第二标记图案,所述第二标记图案与位于显示区的薄膜晶体管的源漏电极同层设置,并通过一次构图工艺形成。
可选地,所述通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层包括:通过构图工艺刻蚀标记区域的第二绝缘层,使标记区域的第二绝缘层与相邻区域的第二绝缘层表面平齐,或完全去除标记区域的第二绝缘层,暴露出标记区域的第二标记图案。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板,该阵列基板采用以上所述的制备方法制备而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的