[发明专利]衬底支撑装置以及外延生长设备有效
| 申请号： | 201710713577.0 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN109411401B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘源;季文明 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 支撑 装置 以及 外延 生长 设备 | ||
1.一种衬底支撑装置，其特征在于，包括基座环和具有凹槽的底座；所述基座环位于所述凹槽内并用于承载所述衬底，且所述基座环与所述底座之间形成有容置空间，所述容置空间为封闭结构且其内填充有气体。
2.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述气体为氢气。
3.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述基座环具有相对的第一侧和第二侧，所述衬底放置在所述第一侧的一个斜面上，且所述第二侧与所述底座之间形成有所述容置空间。
4.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述基座环和/或所述底座上形成有内凹结构，所述内凹结构形成所述容置空间。
5.如权利要求4所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述基座环包括相连的第一段和第二段，所述第一段和所述第二段呈夹角以共同形成所述内凹结构。
6.如权利要求4所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述凹槽之槽底与所述凹槽之槽壁的交界处形成有沟槽，所述沟槽构成所述内凹结构。
7.如权利要求6所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述沟槽沿所述凹槽的径向向外延伸。
8.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述基座环和/或所述底座的材质选自石墨和碳纤维中的一种。
9.如权利要求8所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述石墨上镀设有碳化硅。
10.如权利要求9所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述碳化硅的厚度在10um～200um之间。
11.如权利要求1所述的衬底支撑装置，其特征在于，所述基座环上设有凹块和凸块中的一个，所述底座上设有凹块和凸块中的另一个，所述凸块用于与所述凹块相配合。
12.一种外延生长设备，其特征在于，包括如权利要求1至11中任一项所述的衬底支撑装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
