[发明专利]一种高分子掩膜版及其制作方法和应用有效
申请号: | 201710713991.1 | 申请日: | 2017-08-18 |
公开(公告)号: | CN107574408B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 唐凡 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 高分子膜层 承载基板 掩膜 牺牲层 孔洞 磁性纳米颗粒 前驱体 制作 光罩 原膜 高分子前驱体 固化成膜 激光扫描 叠层 烧蚀 遮挡 清洗 应用 弱化 贯穿 | ||
1.一种高分子掩膜版,包括承载基板以及设置于所述承载基板上的掩膜;其特征在于,所述承载基板与所述掩膜之间还设置有牺牲层;所述掩膜包括高分子膜层以及开设在所述高分子膜层上并贯穿所述高分子膜层的若干孔洞,所述高分子膜层中掺有磁性纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的高分子掩膜版,其特征在于,所述高分子膜层的厚度为5μm~50μm,所述高分子膜层的材料选自聚酰亚胺、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜醚、石墨烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的高分子掩膜版,其特征在于,所述牺牲层的厚度为1nm~5μm,所述牺牲层的材料选自光敏感树脂、带巯基的氧化硅、三硝基甲苯中的任意一种。
4.一种高分子掩膜版的制作方法,其特征在于,包括步骤:
S1、在承载基板上制作牺牲层;
S2、在所述牺牲层上涂布高分子前驱体并固化成膜,形成高分子原膜;其中,所述高分子前驱体中掺有磁性纳米颗粒;
S3、在所述高分子原膜上方放置光罩掩膜版,并采用激光扫描对所述高分子原膜上未被所述光罩掩膜版遮挡的区域进行烧蚀形成孔洞以形成掩膜,获得高分子掩膜版前驱体;
S4、清洗并干燥所述高分子掩膜版前驱体后,弱化所述承载基板与所述掩膜之间的作用力,获得高分子掩膜版。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述高分子原膜的厚度为5μm~50μm,所述高分子原膜的材料选自聚酰亚胺、聚丙烯、聚苯乙烯、聚砜醚、石墨烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种。
6.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述牺牲层的厚度为1nm~5μm,所述牺牲层的材料选自光敏感树脂、带巯基的氧化硅、三硝基甲苯中的任意一种。
7.根据权利要求4或6所述的制作方法,其特征在于,所述步骤S4中弱化所述承载基板与所述掩膜之间的作用力的方法具体为:采用激光照射所述承载基板的背离所述牺牲层的表面。
8.一种OLED的制作方法,包括步骤:
步骤一、在基板上依次叠层制作阳极和空穴传输层,形成蒸镀基板;
步骤二、在所述蒸镀基板上分别蒸镀形成红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层;
步骤三、在所述红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层上依次叠层制作电子传输层和阴极;
其特征在于,所述步骤二的方法具体包括:
Q1、在承载基板上制作牺牲层;
Q2、在所述牺牲层上涂布高分子前驱体并固化成膜,形成高分子原膜;其中,所述高分子前驱体中掺有磁性纳米颗粒;
Q3、在所述高分子原膜上方放置光罩掩膜版,并采用激光扫描对所述高分子原膜上未被所述光罩掩膜版遮挡的区域进行烧蚀形成孔洞以形成掩膜,获得高分子掩膜版前驱体;
Q4、清洗并干燥所述高分子掩膜版前驱体,并弱化所述承载基板与所述掩膜之间的作用力,获得高分子掩膜版;
Q5、将所述高分子掩膜版与所述蒸镀基板进行对位贴合,蒸镀机的磁板移至所述蒸镀基板的远离所述高分子掩膜版的一侧,所述掩膜吸附在所述蒸镀基板表面,所述承载基板与所述牺牲层脱落;
Q6、对所述蒸镀基板进行蒸镀,在所述蒸镀基板上分别形成所述红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述高分子原膜的厚度为5μm~50μm,所述高分子原膜的材料选自聚酰亚胺、石墨烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种;
所述牺牲层的厚度为1nm~5μm,所述牺牲层的材料选自光敏感树脂、带巯基的氧化硅、三硝基甲苯中的任意一种。
10.根据权利要求8或9所述的制作方法,其特征在于,在所述步骤Q6中,每蒸镀完成一种颜色的发光层后,将所述蒸镀机的磁板远离所述蒸镀基板,再将所述蒸镀基板传送至其他颜色的蒸镀腔体处。
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