[发明专利]分段式存储器及操作有效

专利信息
申请号: 201710714174.8 申请日: 2017-08-18
公开(公告)号: CN107767905B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 丹沢彻;赵涵 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C8/14 分类号: G11C8/14;G11C8/08;G11C7/18;G11C7/12;G11C16/08;G11C16/24
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 路勇
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 段式 存储器 操作
【权利要求书】:

1.一种存储器,其包括:

串联连接的存储器单元的多个串,串联连接的存储器单元的所述多个串中的串联连接的存储器单元的每一串通过对应相应第一选择栅极选择性地连接到共同数据线且通过对应相应第二选择栅极选择性地连接到共同源极;

第一存取线,其耦合到串联连接的存储器单元的所述多个串中的串联连接的存储器单元的每一串的第一位置的相应存储器单元;

第二存取线,其耦合到串联连接的存储器单元的所述多个串中的第一子集的串联连接的存储器单元的每一串的第二位置的相应存储器单元;及

第三存取线,其耦合到串联连接的存储器单元的所述多个串中的第二子集的串联连接的存储器单元的每一串的所述第二位置的相应存储器单元。

2.根据权利要求1所述的存储器,其中所述第二位置的存储器单元在所述第一位置的存储器单元与从由其相应第一选择栅极及其相应第二选择栅极组成的群组选择的特定选择栅极之间。

3.根据权利要求2所述的存储器,其中在所述第二位置的所述存储器单元与所述特定选择栅极之间不存在中间存储器单元。

4.根据权利要求1所述的存储器,其中在与所述第二选择栅极相同的物理层级处形成所述第二位置的存储器单元。

5.根据权利要求1所述的存储器,其进一步包括:

第四存取线,其耦合到串联连接的存储器单元的所述多个串的第三子集的串联连接的存储器单元的每一串的第三位置的存储器单元;及

第五存取线,其耦合到串联连接的存储器单元的所述多个串的第四子集的串联连接的存储器单元的每一串的所述第三位置的存储器单元。

6.根据权利要求5所述的存储器,其中串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第三子集与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第一子集是串联连接的存储器单元的所述多个串的相同子集,且串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第四子集与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第二子集是串联连接的存储器单元的所述多个串的相同子集。

7.根据权利要求5所述的存储器,其中串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第三子集含有与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第一子集不同数目个串联连接的存储器单元的串,且串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第四子集含有与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第二子集不同数目个串联连接的存储器单元的串。

8.根据权利要求7所述的存储器,其中串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第三子集及串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第四子集各自分别含有比串联连接的所述多个串的所述第一子集及串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第二子集更高数目个串联连接的存储器单元的串。

9.根据权利要求5所述的存储器,其进一步包括:

第六存取线,其耦合到串联连接的存储器单元的所述多个串的串联连接的存储器单元的每一串的第四位置的存储器单元。

10.根据权利要求1所述的存储器,其中串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第一子集与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第二子集是串联连接的存储器单元的所述多个串的互斥子集。

11.根据权利要求10所述的存储器,其中串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第一子集与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第二子集的并集含有串联连接的存储器单元的所述多个串的串联连接的存储器单元的每一串。

12.根据权利要求10所述的存储器,其中串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第一子集与串联连接的存储器单元的所述多个串的所述第二子集的并集含有少于串联连接的存储器单元的所述多个串的串联连接的存储器单元的所有串。

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