[发明专利]用于表征由半导体装置制造工艺引起的临界参数的系统和方法

权利要求书

1.一种形成在基板上的工艺控制监测系统，其特征在于，所述工艺控制监测系统包括：

第一结构，所述第一结构形成在所述基板的结构层中，所述第一结构包括插入在第一对侧壁之间的第一指形件，所述第一指形件展现第一长度和第一宽度，所述第一长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的表面，且所述第一指形件与所述第一对侧壁中的每个侧壁分开具有第一间距的第一间隙；

第二结构，所述第二结构形成在所述基板的所述结构层中，所述第二结构包括插入在第二对侧壁之间的第二指形件，所述第二指形件展现第二长度和所述第一宽度，所述第二长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面，且所述第二指形件与所述第二对侧壁中的每个侧壁分开具有所述第一间距的第二间隙；以及

第三结构，所述第三结构形成在所述基板的所述结构层中，所述第三结构包括插入在第三对侧壁之间的第三指形件，所述第三指形件展现所述第二长度和第二宽度，所述第二长度和所述第二宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面，且所述第三指形件与所述第三对侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第三间隙。

2.根据权利要求1所述的工艺控制监测系统，其特征在于：

所述第一长度不同于所述第二长度；

所述第一宽度不同于所述第二宽度；以及

所述第一间距不同于所述第二间距。

3.根据权利要求1所述的工艺控制监测系统，其特征在于，所述第一、第二和第三指形件中的每个指形件展现垂直于所述基板的所述表面的厚度，所述第一、第二和第三指形件中的所述每个指形件的所述厚度相等。

4.根据权利要求1所述的工艺控制监测系统，其特征在于，所述第一、第二和第三指形件相对于对应的所述第一、第二和第三对侧壁不可移动。

5.根据权利要求1所述的工艺控制监测系统，其特征在于，所述第一、第二和第三指形件中的关联指形件的所述第一和第二长度、所述第一和第二宽度以及所述第一和第二间距被用于确定所述第一、第二和第三指形件的蚀刻底切参数。

6.根据权利要求1所述的工艺控制监测系统，其特征在于，所述第一、第二和第三指形件中的关联指形件的所述第一和第二长度、所述第一和第二宽度以及所述第一和第二间距被用于确定所述基板的电阻率参数。

7.根据权利要求1所述的工艺控制监测系统，其特征在于，所述第一、第二和第三指形件中的关联指形件的所述第一和第二长度、所述第一和第二宽度以及所述第一和第二间距被用于确定垂直于所述基板的所述表面的所述结构层的厚度参数。

8.一种包括根据权利要求1所述的工艺控制监测系统的晶片结构，其特征在于，所述晶片结构进一步包括形成在所述结构层中的多个半导体装置，所述工艺控制监测系统和所述多个半导体装置是使用相同半导体装置制造工艺被同时制造。

9.一种表征由半导体装置制造工艺引起的临界参数的方法，其特征在于，所述方法包括：

实施所述半导体装置制造工艺以在基板的结构层中形成工艺控制监测系统，所述工艺控制监测系统包括：

第一结构，所述第一结构包括插入在第一对侧壁之间的第一指形件，所述第一指形件展现第一长度和第一宽度，所述第一长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的表面，且所述第一指形件与所述第一对侧壁中的每个侧壁分开具有第一间距的第一间隙；

第二结构，所述第二结构包括插入在第二对侧壁之间的第二指形件，所述第二指形件展现第二长度和所述第一宽度，所述第二长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面，且所述第二指形件与所述第二对侧壁中的每个侧壁分开具有所述第一间距的第二间隙；以及

第三结构，所述第三结构包括插入在第三对侧壁之间的第三指形件，所述第三指形件展现所述第二长度和第二宽度，所述第二长度和所述第二宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面，且所述第三指形件与所述第三对侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第三间隙；以及

基于所述第一、第二和第三指形件中的关联指形件的所述第一和第二长度、所述第一和第二宽度以及所述第一和第二间距来确定所述临界参数。

10.一种晶片结构，其特征在于，所述晶片结构包括：

基板；

多个半导体装置，所述多个半导体装置形成在所述基板的结构层中；以及

工艺控制监测系统，所述工艺控制监测系统形成在所述基板的结构层中，其中所述多个半导体装置和所述工艺控制监测系统是使用相同半导体装置制造工艺被同时制造，所述工艺控制监测系统包括：

第一结构，所述第一结构包括插入在第一对侧壁之间的第一指形件，所述第一指形件展现第一长度和第一宽度，所述第一长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的表面，且所述第一指形件与所述第一对侧壁中的每个侧壁分开具有第一间距的第一间隙；

第二结构，所述第二结构包括插入在第二对侧壁之间的第二指形件，所述第二指形件展现第二长度和所述第一宽度，所述第二长度和所述第一宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面，且所述第二指形件与所述第二对侧壁中的每个侧壁分开具有所述第一间距的第二间隙；以及

第三结构，所述第三结构包括插入在第三对侧壁之间的第三指形件，所述第三指形件展现所述第二长度和第二宽度，所述第二长度和所述第二宽度中的每一者平行于所述基板的所述表面，且所述第三指形件与所述第三对侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第三间隙，其中所述第一、第二和第三指形件中的关联指形件的所述第一和第二长度、所述第一和第二宽度以及所述第一和第二间距被用于确定由所述半导体装置制造工艺引起的所述多个所述半导体装置的临界参数。