[发明专利]固体电解电容器元件、固体电解电容器、及其制造方法

权利要求书

1.一种固体电解电容器元件，具有：

有阳极端子区域和阴极形成区域的阀作用金属基体；

形成于所述阴极形成区域上的电介质层；

形成于所述电介质层上的固体电解质层；和

形成于所述固体电解质层上的集电层，

所述固体电解电容器元件的特征在于，

在所述阳极端子区域上形成由掩蔽构件构成的掩蔽区域，其用于区划所述阳极端子区域和所述阴极形成区域，使所述阀作用金属基体与异性极绝缘，

在所述掩蔽构件的表面形成由亲水性构件构成的亲水性区域，

所述掩蔽区域上形成的所述固体电解质层的至少一部分不被所述集电层覆盖而露出，

在所述阴极形成区域侧的端部形成所述亲水性区域，且在所述阳极端子区域侧的端部不形成所述亲水性区域，或者，

形成所述亲水性区域以将所述掩蔽区域分为2份，且不在所述阴极形成区域侧的端部以及所述阳极端子区域侧的端部形成所述亲水性区域。

2.根据权利要求1所述的固体电解电容器元件，其中，

所述亲水性构件包含从硅烷偶联剂、金属螯合剂以及润湿剂所构成的群选择的至少1种。

3.根据权利要求2所述的固体电解电容器元件，其中，

所述硅烷偶联剂是从3-缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷以及3-氨丙基三甲氧基硅烷所构成的群选择的至少1种。

4.根据权利要求2所述的固体电解电容器元件，其中，

所述金属螯合剂是从8-羟基喹啉、1，2，3-苯并三唑以及1，3-二苯基-1，3-丙二酮所构成的群选择的至少1种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的固体电解电容器元件，其中，

所述阴极形成区域上的所述电介质层上形成的所述固体电解质层的整体被所述集电层覆盖。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的固体电解电容器元件，其中，

所述掩蔽构件的高度为50μm以下。

7.根据权利要求5所述的固体电解电容器元件，其中，

所述掩蔽构件的高度为50μm以下。

8.一种固体电解电容器，其特征在于，

具备：权利要求1～7中任一项所述的固体电解电容器元件，

所述固体电解电容器元件被外装树脂密封。

9.一种固体电解电容器元件的制造方法，其特征在于，具备如下工序：

在阀作用金属基体的表面形成电介质层；

通过在所述阀作用金属基体上形成由掩蔽构件构成的掩蔽区域，来用所述掩蔽区域将所述阀作用金属基体区划成阳极端子区域和阴极形成区域；

在所述掩蔽区域的一部分上以及所述电介质层上形成固体电解质层；和

在所述固体电解质层上形成集电层，

在形成所述掩蔽区域的工序中，在所述掩蔽构件的表面形成由亲水性构件构成的亲水性区域，

在形成所述集电层的工序中，使所述掩蔽区域上形成的所述固体电解质层的至少一部分不被所述集电层覆盖而露出，

在所述阴极形成区域侧的端部形成所述亲水性区域，且在所述阳极端子区域侧的端部不形成所述亲水性区域，或者，

形成所述亲水性区域以将所述掩蔽区域分为2份，且不在所述阴极形成区域侧的端部以及所述阳极端子区域侧的端部形成所述亲水性区域。

10.根据权利要求9所述的固体电解电容器元件的制造方法，其中，

所述亲水性构件包含从硅烷偶联剂、金属螯合剂以及润湿剂所构成的群选择的至少1种。

11.根据权利要求10所述的固体电解电容器元件的制造方法，其中，

所述硅烷偶联剂是从3-缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷以及3-氨丙基三甲氧基硅烷所构成的群选择的至少1种。