[发明专利]包含电容的装置及其形成方法

权利要求书

1.一种包含电容的装置，包含有：

绝缘结构，设置于一基底中，且位于该基底的一电容区；

第一控制栅极及第一选择栅极直接设置于该绝缘结构的正上方；

第一介电层，垂直夹置于该第一控制栅极及该第一选择栅极之间，因而构成该电容；

第二控制栅极及第二选择栅极，设置于该基底的一存储器单元区；

金属硅化物，设置于该电容区的该第一选择栅极和该第一控制栅极上以及该存储器单元区的该第二选择栅极和该第二控制栅极上；以及

一层间介电层，填充于该电容区的该第一控制栅极与相邻的另一第一控制栅极之间和该第一选择栅极与相邻的另一第一选择栅极之间，且该电容区的所述第一选择栅极和所述第一控制栅极的设置方式与该存储器单元区的所述第二选择栅极和所述第二控制栅极的设置方式相同。

2.如权利要求1所述的包含电容的装置，其中该第一介电层包含氧化层及氮化层、或者高介电常数介电层。

3.如权利要求2所述的包含电容的装置，其中该氧化层包含高温氧化层。

4.如权利要求1所述的包含电容的装置，其中该绝缘结构包含浅沟槽绝缘结构。

5.如权利要求1所述的包含电容的装置，还包含：

补陷电荷层，设置于该第一控制栅极及该绝缘结构之间。

6.如权利要求5所述的包含电容的装置，其中该补陷电荷层包含一氧化/氮化/氧化层。

7.如权利要求1所述的包含电容的装置，其中该电容区包含该电容。

8.如权利要求7所述的包含电容的装置，其中该存储器单元区包含：

补陷电荷层，设置于该第二控制栅极及该基底之间，

其中该第二选择栅极设置于该第二控制栅极侧边，因而构成一存储器单元。

9.如权利要求8所述的包含电容的装置，其中该第一控制栅极及该第二控制栅极包含相同材料，且该第一选择栅极及该第二选择栅极包含相同材料。

10.如权利要求1所述的包含电容的装置，其中该第一控制栅极为该电容的一阳极，而该第一选择栅极为该电容的一阴极。

11.一种形成包含电容的装置的方法，包含有：

提供一基底，包含一电容区和一存储器单元区；

形成一绝缘结构于该电容区的该基底中；

形成一第一控制栅极于该绝缘结构的正上方，且同时形成一第二控制栅极于该存储器单元区的该基底正上方；

形成一第一介电层于该第一控制栅极的一侧壁；

形成一第一选择栅极于该第一介电层的侧边，因而构成该电容，其中该电容包含该第一介电层夹置于该第一控制栅极及该第一选择栅极之间，且同时形成一第二选择栅极于该第二控制栅极的侧边，因而构成一存储器单元；

形成一金属硅化物于该电容区的该第一选择栅极和该第一控制栅极上以及该存储器单元区的该第二选择栅极和该第二控制栅极上；以及

形成一层间介电层，以填充于该电容区的该第一控制栅极与相邻的另一第一控制栅极之间和该第一选择栅极与相邻的另一第一选择栅极之间，且该电容区的所述第一选择栅极和所述第一控制栅极的设置方式与该存储器单元区的所述第二选择栅极和所述第二控制栅极的设置方式相同。

12.如权利要求11所述的形成包含电容的装置的方法，其中该第一介电层包含一氧化层及一氮化层、或者一高介电常数介电层。

13.如权利要求12所述的形成包含电容的装置的方法，其中该氧化层包含一高温氧化层。

14.如权利要求11所述的形成包含电容的装置的方法，其中该绝缘结构包含一浅沟槽绝缘结构。