[发明专利]具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种装置，其特征在于，所述装置包括：

半导体衬底；

核心装置，所述核心装置形成于所述半导体衬底中；

第一深沟槽隔离势垒，所述第一深沟槽隔离势垒包围所述核心装置；

次级装置，所述次级装置形成于所述半导体衬底中、所述深沟槽隔离势垒外部；以及

第二深沟槽隔离势垒，形成所述第二深沟槽隔离势垒以使所述次级装置与所述半导体衬底的其余部分隔离，其中所述次级装置的第一部分通过第一电连接器电连接到所述核心装置的第一部分，并且所述次级装置的第二部分通过第二电连接器电连接到所述核心装置的第二部分；

掺杂隔离势垒，安置在所述第一深沟槽隔离势垒的第一侧和第二侧上，其中所述掺杂隔离势垒包括通过所述第一深沟槽隔离区分离的第一掺杂隔离势垒和第二掺杂隔离势垒，其中使用安置在所述半导体衬底的表面上方的金属线电连接所述第一掺杂隔离势垒与所述第二掺杂隔离势垒。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，钝化层安置在所述半导体衬底的顶表面上方。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述次级装置安置成使得所述次级装置在所有侧上包围所述核心装置。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述次级装置包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分安置在所述核心装置的第一侧上并且所述第二部分安置在所述核心装置的第二侧上。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述次级装置安置在所述核心装置的一侧上。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括第三深沟槽隔离势垒，所述第三深沟槽隔离势垒包围所述第一深沟槽隔离势垒，使得所述第一深沟槽隔离势垒的外壁与所述第三深沟槽隔离势垒的内壁之间存在空间。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述次级装置包括第一部分、第二部分和第三部分，其中所述第一部分安置在所述核心装置的第一侧上，所述第二部分安置在所述核心装置的第二侧上，并且所述第三部分安置在所述核心装置的第三侧上。

8.一种装置，其特征在于，所述装置包括：

半导体衬底；

掺杂隔离势垒，所述掺杂隔离势垒安置于所述半导体衬底中并且限定所述掺杂隔离势垒内的核心装置区域；

隔离接触区，所述隔离接触区安置于所述半导体衬底中、所述核心装置区域外部，并且在操作期间施加电压到所述隔离接触区；

耗尽阱区，所述耗尽阱区安置于所述半导体衬底中、所述核心装置区域外部，所述耗尽阱区将所述隔离接触区与所述掺杂隔离势垒电耦合，使得所述掺杂隔离势垒以低于施加到所述隔离接触区的电压的电压电平被偏置；且

其中所述掺杂隔离势垒包括通过核心深沟槽隔离区分离的第一掺杂隔离势垒和第二掺杂隔离势垒，其中使用安置在所述半导体衬底的表面上方的金属线电连接所述第一掺杂隔离势垒与所述第二掺杂隔离势垒。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置进一步包括：

本体区，所述本体区安置于所述半导体衬底中、所述核心装置区域内，所述本体区具有第一导电类型，并且在操作期间在所述本体区中形成通道；

漂移区，所述漂移区安置于所述半导体衬底中、所述核心装置区域内，所述漂移区具有第二导电类型，并且在操作期间电荷载流子在退出所述通道之后漂移穿过所述漂移区；

其中所述耗尽阱区具有与所述本体区或所述漂移区中任一者一样的掺杂剂浓度分布。