[发明专利]一种半集总形式滤波低噪声放大装置

权利要求书

1.一种半集总形式滤波低噪声放大装置，其特征在于，包括单片低噪声放大器(WFD)和滤波器(F)，所述滤波器(F)的上表面贴装有单片低噪声放大器(WFD)、第一输入带状线(Lin1)和第一输出带状线(Lout1)，其中第一输入带状线(Lin1)和第一输出带状线(Lout1)均连接单片低噪声放大器(WFD)，半集总形式滤波低噪声放大装置的一端贴装有信号输入端口(P1)，一侧贴装第一接地端(GND1)，另一侧依次贴装有单片低噪声放大器WFD、电压控制端口(P3)、第二接地端(GND2)；半集总形式滤波低噪声放大装置另一侧贴装有信号输出端口(P2)；

所述滤波器(F)包括金属柱(H1)、第二输出带状线(Rout)、第二输入电感(Lin2)、第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第二输出电感(Lout2)、Z形级间耦合带状线(Z)、信号输出端口(P2)、第一接地端(GND1)和第二接地端(GND2)、接地面；其中，第一谐振器由第一谐振电感(L1)和第一谐振电容(C1)并联而成，第一谐振电感(L1)的一端与第一谐振电容(C1)的一端相连，第一谐振电感(L1)的另一端与第一谐振电容(C1)的另一端分别接地；第二谐振器由第二谐振电感(L2)和第二谐振电容(C2)并联而成，第二谐振电感(L2)的一端与第二谐振电容(C2)的一端相连，第二谐振电感(L2)的另一端与第二谐振电容(C2)的另一端分别接地；第三谐振器由第三谐振电感(L3)和第三谐振电容(C3)并联而成，第三谐振电感(L3)的一端与第三谐振电容(C3)的一端相连，第三谐振电感(L3)的另一端与第三谐振电容(C3)的另一端分别接地；第四谐振器由第四谐振电感(L4)和第四谐振电容(C4)并联而成，第四谐振电感(L4)的一端与第四谐振电容(C4)的一端相连，第四谐振电感(L4)的另一端与第四谐振电容(C4)的另一端分别接地；所述第一谐振电感(L1)、第二谐振电感(L2)、第三谐振电感(L3)、第四谐振电感(L4)均为两层矩形螺旋谐振电感结构，第一谐振电容(C1)、第二谐振电容(C2)、第三谐振电容(C3)、第四谐振电容(C4)均为双层金属板结构；金属柱(H1)顶部与第一输出电感(Lout1)相连，金属柱(H1)底部与第二输出带状线(Rout)的一端相连，第二输出带状线(Rout)的另一端与第二输入电感(Lin2)的一端相连，第二输入电感(Lin2)的另一端与第一谐振电感(L1)和第一谐振电容(C1)相连接，信号输出端口(P2)与第二输出电感(Lout2)的一端连接，第二输出电感(Lout2)的另一端与第四谐振电感(L4)和第四谐振电容(C4)相连接；Z形级间耦合带状线(Z)位于第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器之上，接地面位于各谐振器之下。

2.根据权利要求1所述的半集总形式滤波低噪声放大装置，其特征在于，所述信号输入端口(P1)和信号输出端口(P2)均为共面波导结构的50欧姆阻抗的端口。

3.根据权利要求1所述的半集总形式滤波低噪声放大装置，其特征在于，所述信号输入端口(P1)、信号输出端口(P2)和电压控制端口(P3)均为外部封装引脚。

4.根据权利要求1所述的半集总形式滤波低噪声放大装置，其特征在于，所述信号输入端口(P1)、信号输出端口(P2)、所述电压控制端口(P3)均设有向上表面和下表面的延伸折弯部，贴装在半集总形式滤波低噪声放大装置的上表面和下表面。

5.根据权利要求1所述的半集总形式滤波低噪声放大装置，其特征在于，所述单片低噪声放大器(WFD)和滤波器(F)通过低温共烧陶瓷技术实现一体式封装。

6.根据权利要求1所述的半集总形式滤波低噪声放大装置，其特征在于，所述单片低噪声放大器(WFD)的型号为WFD005050-L30。