[发明专利]一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710717663.9 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107706246A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 朱旭东;史孟杰 申请(专利权)人: 无锡嘉瑞光伏有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 柏尚春
地址: 214200 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 背面 浆料 直接 钝化 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:包括从上往下依次铺设的氮化硅减反射膜、磷扩散层、P型硅基体、钝化层和背面非烧穿型铝浆层,钝化层包括氧化硅膜和氮化硅膜,所述氮化硅减反射膜上设有若干已经烧穿氮化硅减反射膜的正面银电极,在背面钝化层上设有背电极,背电极与P型硅基体连接,浆料层与P型硅基体接触。

2.根据权利要求1所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:钝化层还包括氮氧化硅膜。

3.根据权利要求1所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:所述背电极通过浆料层与P型硅基体连接。

4.根据权利要求1或2所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:在背面钝化层上,印刷一层非烧穿型铝浆层。

5.根据权利要求1或2所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:所述浆料层贯穿氧化硅膜和氮化硅膜或贯穿氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜。

6.根据权利要求1所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:所述浆料层中的玻璃粉与现有的正面银浆中的成份大致相同,使其能够蚀刻背面氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的化学钝化膜。

7.根据权利要求1所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:所述浆料层中的有机化合物与现有的正面银浆中的成份大致相同,使其能够蚀刻背面氧化硅、氮氧化硅和氮化硅的化学钝化膜。

8.一种如权利要求1所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:

1)选择P型单晶硅片作为P型硅基体,P型硅基体去除表面损伤层,制绒、清洗,正表面生成金字塔绒面;

2)磷扩散:对P型硅基体正面进行磷扩散,形成N型层;

3)磷硅玻璃清洗,并对P型硅基体背部进行抛光处理;

4)背面钝化膜叠加:使用PECVD法,在抛光后的P型硅基体背面进行氧化硅和氮化硅钝化膜或氧化硅、氮氧化硅和氮化硅钝化膜的叠加生产;并进行表面清洗;

5)使用PECVD法,在P型硅基体正面镀氮化硅减反射膜;

6)使用丝网印刷,将烧穿型铝浆在电池背面印刷出特定的网格图形,并烘干;

7)使用丝网印刷,印刷背电极,烘干;

8)使用丝网印刷,印刷电池片正面的主栅线和细栅线,烘干;

9)烧结金属化;

10)效率测试,出库。

9.根据权利要求8所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池的制造方法,其特征在于:所述步骤7)和步骤8)之间还存在一个步骤,即为使用丝网印刷,印刷非烧穿区域的全面铝浆区域,烘干。

10.根据权利要求8所述的背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池的制造方法,其特征在于:所述步骤4)可以提前至步骤1)之前进行制作,在此基础上,需要在步骤4)之前对P型硅基体进行抛光预处理,同时,步骤3)中取消P型硅基体背部抛光处理的工艺。

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