[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板具有从其一侧露出的漏极；

形成在所述第一基板露出漏极一侧的平坦层，所述平坦层开有位于所述漏极之上的台阶孔，且所述台阶孔的孔径自所述平坦层远离所述第一基板的一侧向靠近所述第一基板的方向变小；

像素电极，所述像素电极形成在所述台阶孔处且与所述漏极连接；

覆盖所述平坦层和所述像素电极的钝化层；

形成在所述钝化层之上的公共电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层的上表面与所述像素电极的上表面之间的高度差的绝对值小于所述像素电极的高度；

其中，所述平坦层的上表面是指所述平坦层台阶孔以外部分远离所述第一基板的一侧的表面，所述像素电极的上表面是所述像素电极位于所述台阶孔中距离所述第一基板最远的台阶之上部分的远离所述第一基板的一侧的表面。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极的上表面与所述平坦层的上表面相平；

或者所述像素电极的上表面凸出于平坦层的上表面且凸出的高度小于像素电极的厚度；

或者所述像素电极的上表面凹于所述平坦层的上表面且下凹的深度小于像素电极的厚度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述台阶孔中距离所述第一基板最远的孔的孔径的形状和尺寸与所述阵列基板的像素电极的形状和尺寸相一致。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是底栅型阵列基板或顶栅型阵列基板。

6.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成第一基板，所述第一基板具有从其一侧露出的漏极；

形成覆盖所述第一基板露出所述漏极一侧的平坦层；

在所述平坦层位于所述漏极之上的位置开设台阶孔，且所述台阶孔的孔径自所述平坦层远离所述第一基板的一侧向靠近所述第一基板的方向变小；

形成像素电极，所述像素电极形成在所述台阶孔处且与所述漏极连接；

形成覆盖所述平坦层和所述像素电极的钝化层；

在所述钝化层之上形成公共电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述平坦层位于所述漏极之上的位置开设台阶孔的步骤具体包括如下步骤：

通过一个掩膜版的曝光和刻蚀在所述平坦层位于所述漏极之上的位置开设所述台阶孔，所述掩膜版包括全透过通孔和位于所述全透过通孔周围且与之连接的部分透过区域；

其中，所述全透过通孔用于形成所述台阶孔中距离所述第一基板最近的孔，所述部分透过区域用于形成所述台阶孔中距离所述第一基板最近的孔以外的孔。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述部分透过区域形成的所述台阶孔中距离所述第一基板最远的孔的深度与所述阵列基板的像素电极的厚度差值的绝对值小于像素电极的厚度值。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述部分透过区域形成的所述台阶孔中距离所述第一基板最远的孔的深度等于所述阵列基板所需的像素电极的厚度；

或者所述部分透过区域形成的所述台阶孔中距离所述第一基板最远的孔的深度小于所述阵列基板所需的像素电极的厚度；

或者所述部分透过区域形成的所述台阶孔中距离所述第一基板最远的孔的深度大于所述阵列基板所需的像素电极的厚度且小于像素电极的厚度的两倍。

10.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述部分透过区域和全透过区域作为一个整体的形状与尺寸与所述阵列基板的像素电极的形状和尺寸相配合，使得所述台阶孔中距离所述第一基板最远的孔的形状与尺寸与所述阵列基板的像素电极的形状和尺寸相一致。