[发明专利]一种IGBT检测电路及检测方法

说明书

本发明涉及一种IGBT检测电路及检测方法。所述IGBT检测电路，用于测试一第一被测IGBT，包括栅极驱动电源输入端口、第一栅极电阻、电流波形输出端口、负载电感、以及测试电源输入端口；所述第一栅极电阻的第一端连接所述栅极驱动电源输入端口、第二端连接所述第一被测IGBT的栅电极；所述负载电感的第一端连接所述第一被测IGBT的发射电极、第二端连接所述电流波形输出端口；所述电流波形输出端口连接所述测试电源输入端口；所述测试电源输入端口连接所述第一被测IGBT的集电极。本发明简化了IGBT检测电路的结构，能够实现对IGBT性能的全面检测，并提高检测结果的准确度。

技术领域

本发明涉及电学技术领域，尤其涉及一种IGBT检测电路及检测方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极型三极管)和MOS(Metal Oxide Semiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor，电力晶体管)的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS(Uninterruptible Power System/Uninterruptible Power Supply)不间断电源等设备上。

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备及白色家电等领域应用极广。

IGBT主要工作在其开关状态，理想的IGBT器件，其开关时间短、导通损耗小、关断漏电小。判断IGBT器件性能优劣最直接的办法是对IGBT的动态性能进行检测。但是，现有的IGBT动态测试方法中使用的检测电路都比较为复杂，而且检测不够全面，检测结果的精准度较低。

发明内容

本发明提供一种IGBT检测电路及检测方法，用以简化IGBT动态测试的检测电路，实现对IGBT性能的全面检测，并提高检测结果的准确度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种IGBT检测电路，用于测试一第一被测IGBT，包括栅极驱动电源输入端口、第一栅极电阻、电流波形输出端口、负载电感、以及测试电源输入端口；所述第一栅极电阻的第一端连接所述栅极驱动电源输入端口、第二端连接所述第一被测IGBT的栅电极；所述负载电感的第一端连接所述第一被测IGBT的发射电极、第二端连接所述电流波形输出端口；所述电流波形输出端口连接所述测试电源输入端口；所述测试电源输入端口连接所述第一被测IGBT的集电极。

优选的，还包括第一外接续流二极管；所述第一外接续流二极管的负极连接于所述第一被测IGBT的发射电极和所述负载电感之间、正极连接所述测试电源输入端口。