[发明专利]应用于半导体存储器的ZQ校准控制

权利要求书

1.一种半导体存储器的ZQ校准控制器，其特征在于，包括：

温度传感器，用于检测半导体存储器的温度；

温度控制单元，连接于所述温度传感器，用于从所述温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的第一温度值和第二温度值，计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差，在所述偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号；及，

ZQ校准单元，连接于所述温度控制单元，令所述温度控制单元串接于所述温度传感器和所述ZQ校准单元之间，所述ZQ校准单元用于在收到所述温度控制单元启动ZQ校准的信号时，对所述半导体存储器进行ZQ校准，并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给所述温度控制单元；

其中，所述第一温度值是所述温度控制单元在预设的采样周期下获取的由所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度；所述第二温度值是所述温度控制单元在收到所述ZQ校准单元发送的ZQ校准结束的信号时获取的所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度；以及

所述温度控制单元包括：第一寄存器、第二寄存器、计算子单元、比较子单元和控制子单元；

所述第一寄存器，连接于所述温度传感器与所述控制子单元之间，用于在所述控制子单元的触发下从所述温度传感器处获取和存储所述第一温度值；

所述第二寄存器，连接于所述温度传感器与所述控制子单元之间，用于在收到所述ZQ校准单元发出的ZQ校准结束的信号时从所述温度传感器处获取和存储所述第二温度值；

所述计算子单元，连接于所述第一寄存器和所述第二寄存器的输出端，用于计算所述第一温度值与所述第二温度值的偏差；

所述比较子单元，连接于所述计算子单元和所述控制子单元之间，用于比较所述偏差与所述阈值，并将比较结果输出给所述控制子单元；及，

所述控制子单元，连接于所述第一寄存器和所述ZQ校准单元之间，用于以所述采样周期触发所述第一寄存器，以及在所述偏差超过所述阈值时发送启动ZQ校准的信号给所述ZQ校准单元。

2.根据权利要求1所述的ZQ校准控制器，其特征在于，所述阈值的设定取决于以下参数的至少之一：ZQ校准的最小变量、电阻的温度相关系数、电压变化幅度、电阻的电压相关系数，所述阈值介于2～6℃，包含端点值。

3.根据权利要求1所述的ZQ校准控制器，其特征在于，在所述半导体存储器和所述ZQ校准单元都处于空闲状态下，所述ZQ校准单元在收到启动ZQ校准的信号时对所述半导体存储器进行ZQ校准。

4.根据权利要求1至3任一项所述的ZQ校准控制器，其特征在于，所述ZQ校准单元对所述半导体存储器进行ZQ校准包括进行第一时长的ZQ长类型校准和进行第二时长的ZQ短类型校准，所述第一时长大于所述第二时长，当ZQ校准单元收到所述温度控制单元发出的启动ZQ校准的信号时，所述ZQ校准单元对所述半导体存储器进行ZQ短类型校准。

5.一种半导体存储器，其特征在于，包括权利要求1所述的ZQ校准控制器。

6.一种用于半导体存储器的ZQ校准控制方法，基于如权利要求1所述的半导体存储器的ZQ校准控制器，其特征在于，包括：

所述控制子单元以预设的采样周期触发所述第一寄存器从所述温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的温度，此温度值为第一温度值；

所述第二寄存器在ZQ校准结束时获取所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度，此温度值为第二温度值；

所述计算子单元计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差；

所述控制子单元在所述偏差超过阈值时启动ZQ校准。

7.根据权利要求6所述的ZQ校准控制方法，其特征在于，所述阈值的设定取决于以下参数的至少之一：ZQ校准的最小变量、电阻的温度相关系数、电压变化幅度、电阻的电压相关系数，所述阈值介于2～6℃，包含端点值。

8.根据权利要求6所述的ZQ校准控制方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述半导体存储器和用于执行ZQ校准的装置都处于空闲状态下，才在所述偏差超过阈值时启动ZQ校准。

9.根据权利要求6、7或8所述的ZQ校准控制方法，其特征在于，所述ZQ校准包括：进行第一时长的ZQ长类型校准和进行第二时长的ZQ短类型校准，所述第一时长大于所述第二时长；在所述偏差超过所述阈值时启动的ZQ校准为对所述半导体存储器进行ZQ短类型校准。