[发明专利]一种用于热光伏系统的选择性热发射器在审
申请号: | 201710721835.X | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107482994A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 郑义;卡尼克·阿洛克;田彦培 | 申请(专利权)人: | 郑义;卡尼克·阿洛克;田彦培 |
主分类号: | H02S10/30 | 分类号: | H02S10/30;H02S40/44 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 100013 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 热光伏 系统 选择性 发射器 | ||
1.一种用于热光伏系统的选择性热发射器,其特征在于,包括基底材料,所述基底材料上设置有钨层;所述钨层上设置有二氧化硅层,所述二氧化硅层内部分散有钨纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的用于热光伏系统的选择性热发射器,其特征在于,所述基底材料为硅片。
3.如权利要求1-2任一所述的用于热光伏系统的选择性热发射器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1分别用丙酮、甲醇和异丙醇清洗硅片,得到的硅片作为基底材料;
S2用氮气吹干硅片上剩余的液体;
S3将经过步骤S2处理的硅片加热以去除多余的气体;
S4用RF溅射机在硅片上溅射出设定厚度的钨层;
S5将按照设定体积比混合的钨纳米颗粒和二氧化硅粉末加上PVDF粘合剂制成靶,将制成的靶放置在RF溅射机中,然后用RF溅射机在钨层上溅射出分散有钨纳米颗粒的二氧化硅层。
4.权利要求1-2任一所述的用于热光伏系统的选择性热发射器在热光伏系统中的应用。
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