[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一半导体区域；

多个存储器单元，所述多个存储器单元每个都形成在所述第一半导体区域中并且具有分裂栅极结构，所述分裂栅极结构包括相对栅极型选择栅极电极、存储器栅极电极和一对端子；以及

第一驱动器电路，所述第一驱动器电路向所述存储器单元中的所选择的存储器单元的选择栅极电极供应选择电压，并且向所述存储器单元中的未选择的存储器单元的选择栅极电极供应未选择电压，

其中所述第一驱动器电路将相对于所述第一半导体区域中的电势为负或者正的电压作为所述未选择电压供应，以便使与所述未选择的存储器单元的所述选择栅极电极相对应的选择晶体管进入关断状态。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述存储器单元以矩阵形式布置在所述第一半导体区域中，

其中所述矩阵的行中设置的所述存储器单元中的每个的所述一对端子中的一个端子耦合至相同行中设置的位线，并且所述矩阵的列中设置的所述存储器单元中的每个的所述选择栅极电极耦合至相同列中设置的字线，而所述列中设置的所述存储器单元中的每个的所述存储器栅极电极耦合至相同列中设置的存储器栅极线，并且所述列中设置的所述存储器单元中的每个的所述一对端子中的另一个端子耦合至源极线，以及

其中所述第一驱动器电路将所述未选择电压经由所述字线供应至所述未选择的存储器单元的所述选择栅极电极。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述半导体装置包括第二半导体区域，所述第二半导体区域与所述第一半导体区域电气地隔离，以及

其中所述第一驱动器电路设置在所述第二半导体区域中。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括：

阈值电压确定电路，所述阈值电压确定电路确定与所述存储器单元中的每个的所述选择栅极电极相对应的所述选择晶体管的阈值电压，

其中所述第一驱动器电路将基于由所述阈值电压确定电路确定的所述阈值电压的电压作为所述未选择电压供应至所述未选择的存储器单元的所述选择栅极电极。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述阈值电压确定电路包括：

确定存储器单元，所述确定存储器单元具有分裂栅极结构，所述分裂栅极结构包括相对栅极型选择栅极电极、存储器栅极电极和一对端子；以及

确定电路，所述确定电路基于在所述确定存储器单元中流动的电流和所述选择栅极电极中的电压来确定所述选择晶体管的所述阈值电压。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中以矩阵形式布置的所述存储器单元中的多个存储器单元中的每个用作所述确定存储器单元。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中与所述存储器单元中的每个的所述选择栅极电极相对应的所述选择晶体管是N沟道晶体管，以及

其中所述未选择电压相对于所述第一半导体区域中的所述电势为负。

8.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中与所述存储器单元中的每个的所述选择栅极电极相对应的所述选择晶体管是P沟道晶体管，以及

其中所述未选择电压相对于所述第一半导体区域中的所述电势为正。

9.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述存储器单元的各个存储器栅极电极包括相对栅极型存储器栅极电极。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中所述存储器单元包括具有使用FinFET的分裂栅极结构的电可重写非易失性存储器单元。