[发明专利]晶圆承载盘有效
| 申请号： | 201710722783.8 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN108085659B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 林塘棋;范俊一;林嫚萱;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;H01L21/687 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 母盘 平口 嵌合 晶圆承载盘 插梢 子盘 均匀受热 有效实现 承载盘 固定子 成膜 内缘 种晶 屋檐 承载 侧面 | ||
1.一种晶圆承载盘，其特征在于所述晶圆承载盘包括：
母盘，具有多数个第一凹槽；
多数个子盘，分别设置于所述第一凹槽内，且每个所述子盘具有承载晶圆的第二凹槽以及与所述第一凹槽的侧面嵌合的嵌合斜面，其中在所述嵌合斜面与一水平面之间具有20度至45度的第一夹角，且所述第二凹槽具有与所述晶圆的平口相应的平口侧，所述第二凹槽的所述平口侧设置有屋檐部；以及
多数个插梢，分别位于所述母盘与所述子盘之间，用以固定所述子盘。
2.一种晶圆承载盘，其特征在于所述晶圆承载盘包括：
母盘，具有多数个第一凹槽；以及
多数个子盘，分别设置于所述第一凹槽内，且每个所述子盘具有承载晶圆的第二凹槽以及与所述第一凹槽的侧面嵌合的一嵌合斜面，其中在所述嵌合斜面与一水平面之间具有20度至45度的第一夹角，且所述第二凹槽具有与所述晶圆的平口相应的平口侧，所述第二凹槽的所述平口侧设置有屋檐部。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆承载盘，其特征在于：在所述平口侧的法线方向上，所述第二凹槽的底面与所述子盘的底面之间具有0度至5度的第二夹角。
4.根据权利要求3所述的晶圆承载盘，其特征在于：所述第二夹角为0度至1度。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆承载盘，其特征在于：所述第二凹槽的所述平口侧相对于通过所述晶圆的中心和所述母盘的中心的基准线具有0度至90度的第三夹角。
6.根据权利要求3所述的晶圆承载盘，其特征在于：所述第二夹角与所述平口侧位于同一侧。
7.根据权利要求3所述的晶圆承载盘，其特征在于：所述第二夹角与所述平口侧的对向侧位于同一侧。
8.根据权利要求1或2所述的晶圆承载盘，其特征在于：在所述平口侧的法线方向上，所述第二凹槽的底面与所述子盘的底面之间具有0.5度的第二夹角，且所述第二凹槽的所述平口侧相对于通过所述晶圆的中心和所述母盘的中心的基准线具有45度的第三夹角。
9.根据权利要求1所述的晶圆承载盘，其特征在于：所述母盘与所述子盘之间以至少一个所述插梢固定，且所述插梢沿所述母盘的旋转方向设置于下游侧。
10.根据权利要求1或2所述的晶圆承载盘，其特征在于：所述屋檐部还包括设置在所述平口侧以外的部份。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
