[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述缓冲层和所述N型氮化镓层之间的复合层，所述复合层包括多个氮化镓层和多个氧化锌层，所述多个氮化镓层和所述多个氧化锌层交替层叠设置；所述氮化镓层的厚度为所述氧化锌层的厚度的3倍～5倍。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，各个所述氧化锌层的厚度为5nm～100nm。

3.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，各个所述氮化镓层的厚度为25nm～300nm。

4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述复合层的厚度为0.2μm～2μm。

5.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述多个氧化锌层的数量与所述多个氮化镓层的数量相同，所述多个氮化镓层的数量为5个～50个。

6.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层交替生长多个氮化镓层和多个氧化锌层，形成复合层，所述氮化镓层的厚度为所述氧化锌层的厚度的3倍～5倍；

在所述复合层上依次生长N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述缓冲层交替生长多个氮化镓层和多个氧化锌层，包括：

采用金属有机化合物化学气相沉淀技术生长所述氧化锌层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锌层的生长条件与所述氮化镓层的生长条件相同，所述生长条件包括生长温度和生长压力。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述复合层的生长温度为1000℃～1100℃。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述复合层的生长压力为100torr～500torr。