[发明专利]一种基板和显示装置有效
申请号: | 201710725143.2 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107316888B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 胡月;宋丽芳;廖金龙 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 | ||
本发明提供一种基板和显示装置,涉及显示技术领域,用于提高显示装置的出光率。该基板包括亚像素区域和用于限定亚像素区域的像素界定区域。基板还包括衬底,以及位于衬底上、且在像素界定区域内的遮光部,遮光部包括黑矩阵,以及位于黑矩阵上的遮光子部,遮光子部至少位于多组相邻亚像素区域之间。其中,遮光子部的侧面能够反射光线。该基板用于构成显示装置。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种基板和显示装置。
背景技术
OLED(英文名称:Organic Light Emitting Diode,中文名称:有机发光二极管)显示器,具有自发光、无需背光模组、对比度以及清晰度高、视角宽、适用于挠曲性面板、温度特性好、低功耗、响应速度快以及制造成本低等一系列优异特性,已经成为新一代平面显示装置的重点发展方向之一。
OLED显示器通常如图1所示,包括设置在衬底10上的像素界定层(英文名称:Pixeldefinition layer,英文简称:PDL)11、位于像素界定层11所限定出的亚像素区域中的发光层12,以及设置在OLED显示器出光侧的彩色滤光层20和黑矩阵21。其中,黑矩阵21可以对光线进行遮挡,以防止相邻亚像素区域的发光层12发出的光互相影响。然而,被黑矩阵21遮挡的光线会被黑矩阵21吸收,导致OLED显示器的出光率降低。
发明内容
本发明的实施例提供一种基板和显示装置,用于提高显示装置的出光率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的第一方面,提供一种基板,包括:亚像素区域和用于限定亚像素区域的像素界定区域,基板包括衬底,以及位于衬底上、且在像素界定区域内的遮光部,遮光部包括:黑矩阵,以及位于黑矩阵上的遮光子部,遮光子部至少位于多组相邻亚像素区域之间;其中,遮光子部的侧面能够反射光线。
可选的,遮光子部包括由不透光材料构成的遮光网和至少覆盖遮光网的侧面的反射层,遮光网的每个网眼对应一个亚像素区域,或者对应一个由多个亚像素区域组成的像素区域。
进一步的,反射层还覆盖黑矩阵中未覆盖遮光网的部分。
可选的,构成遮光网的材料与构成黑矩阵的材料相同。
可选的,遮光子部的纵截面的形状为半椭圆形、三角形或梯形。
本发明实施例的第二方面,提供一种基板,包括第一方面提供的基板的技术特征,基板还包括位于遮光部上、且在像素界定区域内的像素界定层,以及位于亚像素区域内的发光层。
本发明实施例的第三方面,提供一种显示装置,包括第二方面提供的基板。
本发明实施例的第四方面,提供一种显示装置,包括相对设置的第一基板和第二基板,其中第一基板为第一方面提供的基板;第二基板包括位于衬底上、且在亚像素区域的发光层和在像素界定区域内的像素界定层。
可选的,相邻亚像素区域之间的部分中,遮光子部的纵截面的对称轴与像素界定层的纵截面、黑矩阵的纵截面的对称轴重合。
进一步的,遮光子部的高度满足:其中,I用于表示遮光子部的底部与像素界定层的顶部之间的距离,W用于表示像素界定层的顶面的宽度,H用于表示遮光子部的高度,α用于表示像素界定层的侧边与第二基板的衬底之间的夹角。
本发明实施例提供一种基板和显示装置,该基板包括亚像素区域和用于限定所述亚像素区域的像素界定区域。基板还包括衬底,以及位于衬底上、且在像素界定区域内的遮光部。其中,遮光部包括:黑矩阵,以及位于黑矩阵上的遮光子部,遮光子部至少位于多组相邻亚像素区域之间,其中,遮光子部的侧面能够反射光线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的