[发明专利]一种提高多晶黑硅光电转换效率及组件功率的微观结构

权利要求书

1.一种提高黑硅多晶光电转换效率及组件功率的微观结构，其特征为，该微观结构通过下述步骤获得：

a：碱抛光；b：第一次漂洗；c：银沉积；d：挖孔；e：第二次漂洗 f：脱银； g：第三次漂洗；h：扩孔；i：第四次漂洗 j：多边形凹孔修饰；k：去金属离子；l：第五次漂洗；m：烘干。

2.一种提高黑硅多晶光电转换效率及组件功率的微观结构，其特征为，该微观结构通过下述步骤获得：

a：碱抛光：将硅片置于KOH:H₂O的体积比为1:3～10的溶液中，控制温度范围70～80℃，控制时间为150～250S去除表面损伤层；

b：第一次漂洗；

c：将硅片置于AgNO₃:HF:H₂O的体积比为1:1000～5000: 10000～500000的混合溶液中控制时间范围为100～250S，控制温度范围23～27℃，在硅片表面沉积银粒子；

d:将硅片置HF:H₂O₂:H₂O的体积比为1:1～6:3～10混合溶液中，控制时间200～300S，控制温度范围33～37℃，对沉积的银粒子进行去除；

e:第二次漂洗；

f:将硅片置于NH3·H₂O:H₂O₂:H₂O体积比为1：1～ 6：15～25的混合溶液中控制时间范围为100～200S，控制温度范围23～37℃；

g:第三次漂洗；

h：将硅片置于HF：HNO₃:H₂O的体积比为1:3～10:6～12的混合溶液中控制时间范围为50～150S，控制温度范围6～15℃；

i：第四次漂洗；

j：将硅片置于将硅片置于QX1或QX2或QX3或和H₂O混合溶液中,对挖孔后的绒面进行修饰；

k：去金属离子；将硅片置于HF，HCl和H₂O的混合溶液中，去除表面金属离子；

l：第五次漂洗；

m：烘干。

3.如权利要求2所述的一种提高黑硅多晶光电转换效率及组件功率的微观结构，其特征在于：步骤j中的QX1或QX2或QX3和H₂O混合溶液为分别为：

QX1修饰液为NaOH与H₂O 的混合修饰液，其中NaOH与H₂O 的体积比为1 ：30～60，采用QX1修饰液进行多边形修饰，控制时间范围为10-100S，温度控制范围20～27℃；

QX2修饰液为KOH与H₂O 的混合修饰液，其中KOH与H₂O 的体积比为1 ：30～60，控制时间范围为10-100S，温度控制范围20～27℃；

QX3修饰液为 NH₃.H₂O与H₂O 的混合修饰液，其中NH₃.H₂O与H₂O 的体积比为1 ：20 ～ 50，控制时间范围为50-150S，温度控制范围20～25℃。