[发明专利]一种多孔悬膜及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔悬膜的制备方法，其特征在于，包括：

提供第一硅衬底及第二硅衬底；

在所述第一硅衬底表面形成氧化硅层；

利用键合工艺在所述氧化硅层表面键合所述第二硅衬底；

对所述第一硅衬底或第二硅衬底进行减薄处理，以获得包括待处理悬膜和悬膜衬底的结构，其中，所述待处理悬膜为减薄处理后的硅衬底，所述悬膜衬底为另一硅衬底；

对所述待处理悬膜进行图形的光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述待处理悬膜，并使所述氧化硅层裸露的第一通孔，以获得悬膜层；

对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述悬膜衬底，并使所述氧化硅层裸露的第二通孔，一个所述第二通孔与一个所述第一通孔对应，对应的第一通孔和第二通孔在所述氧化硅层上的投影的位置至少部分重合；

刻蚀去除所述第一通孔与所述第二通孔之间的氧化硅层，以获得多孔悬膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一硅衬底或第二硅衬底进行减薄处理，以获得包括待处理悬膜和悬膜衬底的结构包括：

对所述第二硅衬底进行减薄处理，以获得待处理悬膜，所述第一硅衬底为所述悬膜衬底。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述第二硅衬底进行减薄处理，以获得待处理悬膜，所述第一硅衬底为所述悬膜衬底之后，所述对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀之前还包括：

对所述悬膜衬底进行减薄处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述悬膜衬底，并使所述氧化硅层裸露的第二通孔包括：

利用双面对准光刻工艺，对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述悬膜衬底，并使所述氧化硅层裸露的第二通孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，刻蚀过程所采用的工艺为干法刻蚀或湿法刻蚀或化学腐蚀。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀过程包括：

在待刻蚀面涂覆光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光、显影，形成掩膜板；

以所述掩膜板为掩膜，对所述待刻蚀面进行刻蚀，形成刻蚀图形；

去除所述掩膜板。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的横截面的形状为圆形或矩形或多边形；

所述第二通孔的横截面的形状为圆形或矩形或多边形。

8.一种多孔悬膜，其特征在于，所述多孔悬膜采用权利要求1-7任一项所述的多孔悬膜的制备方法制备，所述多孔悬膜包括：

悬膜衬底；

位于所述悬膜衬底表面的氧化硅层；

位于所述氧化硅层背离所述悬膜衬底一侧的悬膜层；

贯穿所述悬膜衬底、氧化硅层及所述悬膜层的多个通孔；

所述悬膜衬底和悬膜层均为硅材料结构。

9.根据权利要求8所述的多孔悬膜，其特征在于，所述悬膜衬底和悬膜层为单晶硅材料结构或多晶硅材料结构。

10.根据权利要求8所述的多孔悬膜，其特征在于，所述通孔的横截面形状为圆形或矩形或多边形。