[发明专利]一种零功率消耗的真空紫外光伏探测器

权利要求书

1.一种p-Gr/AlN/p-GaN的背靠背光伏探测器件，其特征在于，使用石墨烯作为VUV透明导电窗口，以AlN为吸光层，由如下方法构建得到：

S1.外延AlN薄膜层的生长：首先在c面蓝宝石平面衬底上生长GaN 缓冲层然后生长非掺杂的 GaN，再生长p-GaN；然后退火处理后，二次外延AlN，得到外延AlN薄膜层；

S2.器件的制备：首先在外延AlN薄膜层表面构建石墨烯作为透明导电窗口，然后在石墨烯的一端依次沉积Ti和Au；最后使用液态Ga液滴将金线与金电极进行连接，在p-GaN一端直接使用热熔化的In作为电极构建欧姆接触。

2.根据权利要求1所述p-Gr/AlN/p-GaN的背靠背光伏探测器件，其特征在于，步骤S1的具体方法如下：

S11.在500～550℃条件下，在c面蓝宝石平面衬底上生长20～30nm GaN 缓冲层；

S12.然后在180～220 torr压力、1000～1100℃下生长2～3μm的非掺杂的 GaN；

S13.然后再在900～1000℃下生长180～220nm p-GaN；

S14.然后在氮气气氛中700～750℃退火8～15min；最后40～60 torr压力、1000～1100℃下二次外延80～120nm AlN，得到外延AlN薄膜层。

3.根据权利要求2所述p-Gr/AlN/p-GaN的背靠背光伏探测器件，其特征在于，步骤S13的载流子浓度为3×10¹⁷/cm³, 迁移率为10 cm³/V•s。

4.根据权利要求1所述p-Gr/AlN/p-GaN的背靠背光伏探测器件，其特征在于，步骤S2的具体方法如下：

S21.利用湿法转移的方法，在外延AlN薄膜层表面构建石墨烯作为透明导电窗口；

S22.利用热蒸镀的方法在石墨烯的一端沉积15～25nm Ti，然后再沉积40～60nm Au；

S23.使用液态Ga液滴将20～30μm直径的金线与金电极进行连接，在p-GaN一端直接使用热熔化的In作为电极构建欧姆接触。

5.权利要求1～4任一所述p-Gr/AlN/p-GaN的背靠背光伏探测器件在制备零功耗VUV光伏探测器方面的应用。