[发明专利]闪存控制器有效
申请号: | 201710725968.4 | 申请日: | 2013-11-29 |
公开(公告)号: | CN107608628B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 杨宗杰 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G11C11/56;G11C16/34 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 控制器 | ||
1.一种内存控制器,用于一闪存,其特征在于,包括:
一写入电路,耦接至所述闪存,用来执行一写入操作以将一输入数据储存至所述闪存中的一储存空间,所述写入操作包括有依序执行的一初始程序化操作、一第一次再程序化操作以及一第二次再程序化操作;
一检查电路,用来检查储存有所述输入数据的所述储存空间的可靠度,侦测已经储存有所述输入数据的所述储存空间是否遭遇数据保存干扰;以及
一更新电路,耦接至所述检查电路以及所述闪存,用来于所述储存空间遭遇到所述数据保存干扰,依据所述输入数据对所述储存空间执行一更新操作,所述更新操作包括有:
从所述储存空间恢复所述输入数据;以及
将从所述储存空间所恢复的所述输入数据程序化至所述储存空间中的原始储存位置,将从所述储存空间所恢复的所述输入数据程序化至所述储存空间中的所述原始储存位置是对所述储存空间进行的额外再程序化操作,不相同于所述初始程序化操作、所述第一次再程序化操作以及所述第二次再程序化操作;
其中,所述写入电路储存在所述储存空间中的所述输入数据是依据一第一参考临界电压初始设定来被读取,而所述更新电路储存在所述储存空间中的所述输入数据是依据一第二参考临界电压初始设定来被读取,且所述第一参考临界电压初始设定是不同于所述第二参考临界电压初始设定;以及,所述第二参考临界电压初始设定所对应的临界电压分布窄于所述第一参考临界电压初始设定所对应的临界电压分布。
2.如权利要求1所述的内存控制器,其特征在于,所述内存控制器所存取的所述储存空间是由多个N位多阶记忆单元所构成,且N是大于2的一正整数。
3.如权利要求1所述的内存控制器,其特征在于,所述第二参考临界电压初始设定中所定义的一最高参考临界电压值是大于所述第一参考临界电压初始设定中所定义的一最高参考临界电压值。
4.如权利要求1所述的内存控制器,其特征在于,在更新所述储存空间之后,所述更新电路会储存用以指示所述第二参考临界电压初始设定的一指标。
5.如权利要求1所述的内存控制器,其特征在于,所述内存控制器所存取的所述储存空间是所述闪存的一记忆区块中的一部分。
6.如权利要求5所述的内存控制器,其特征在于,当所述储存空间的可靠度达到一预定条件时,所述更新电路还用来更新所述闪存的所述记忆区块中的一其余部分。
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