[发明专利]AMOLED像素驱动电路

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：

作为驱动晶体管的第一薄膜晶体管(T1)，其为双栅极薄膜晶体管，顶栅极连接第一节点(G)，底栅极连接第二节点(B)，源极和漏极分别连接电源高电位(VDD)和第三节点(S)；

第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和第一数据线(Data1)；

第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接侦测信号线(Sense)和第三节点(S)；

第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和第二数据线(Data2)；

第一电容(C)，其两端分别连接第二节点(B)和电源高电位(VDD)；

第二电容(Cst)，其两端分别连接第一节点(G)和第三节点(S)；

有机发光二极管(D1)，其阳极连接第三节点(S)，阴极连接电源低电位(VSS)；

所述AMOLED像素驱动电路工作于第一薄膜晶体管(T1)阈值电压侦测状态时，所述扫描线(Scan)设置为输入高电位；所述第一数据线(Data1)设置为输入第一参考电压；将第一薄膜晶体管(T1)阈值电压侦测状态按时间划分为初始化阶段和阈值电压生成阶段，所述侦测信号线(Sense)在初始化阶段设置为输入第二参考电压，在阈值电压生成阶段设置为悬空，所述第二参考电压小于第一参考电压且小于有机发光二极管(D1)的开启电压；所述第二数据线(Data2)设置为第三参考电压。

2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、及第四薄膜晶体管(T4)为低温多晶硅薄膜晶体管或者为氧化物半导体薄膜晶体管。

3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第三参考电压为0伏特。

4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，在阈值电压生成阶段，所述第三节点(S)的电位上升至第一参考电压与第一薄膜晶体管(T1)阈值电压之差，通过第三节点(S)的电位得到第一薄膜晶体管(T1)阈值电压，此时第二节点(B)的电位为第三参考电压。

5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，对于面板中所有像素，分别得到面板中每个像素的第一薄膜晶体管(T1)阈值电压并存储于存储器中。

6.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，通过所述第一薄膜晶体管(T1)阈值电压与第二节点(B)的电位之间的对应关系，得到欲将第一薄膜晶体管(T1)阈值电压调整至面板所有像素统一设定值时所需的第二节点(B)的电位，根据所得到的第二节点(B)的电位形成补偿数据，以进而根据补偿数据形成补偿信号。

7.如权利要求6所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，对于面板中所有像素，分别得到面板中每个像素对应的补偿信号。

8.如权利要求1或6所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路工作于第一薄膜晶体管(T1)阈值电压补偿及发光状态时，将第一薄膜晶体管(T1)阈值电压补偿及发光状态按时间划分为补偿阶段和发光阶段，所述扫描线(Scan)在补偿阶段设置为输入高电位，在发光状阶段设置为输入低电位；所述第一数据线(Data1)设置为输入数据信号；所述第二数据线(Data2)设置为输入补偿信号；所述侦测信号线(Sense)设置为输入第四参考电压，所述第四参考电压小于有机发光二极管(D1)的开启电压。