[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法

说明书

本公开涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。所述方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次生长缓冲层、n型层、发光层和p型层；将微孔薄膜覆盖在所述p型层表面；在所述微孔薄膜表面进行刻蚀；去除所述微孔薄膜，以使所述p型层表面被粗化。这样，表面不平滑的p型层能够使得发光层发出的光更易从LED芯片内部射出，减少了光在p型层表面的全反射，从而增加了LED芯片的光出射率。

技术领域

本公开涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。

背景技术

目前，发光二极管(light emitting diode，LED)芯片大多都是在衬底上制作多层结构后形成外延片，再在外延片上制作电流扩散层、电极和钝化层而生成的。在相关技术中，LED外延片是在蓝宝石基底材料上从下到上依次沉淀缓冲层、n型层、发光层、p型层而形成的。在此外延片的基础上，可以在p型层的部分区域中，刻蚀至n型层，在露出的n型层区域上制作n电极，在p型层的未蚀刻的区域中沉淀电流扩散层，在电流扩散层上制作p电极，之后在电流扩散层上生成钝化层，两个电极用作后期封装焊线使用。

LED芯片的光从发光层产生并从芯片出光面发出。无论是从正面(p型层)或者背面(衬底)出光，都可能会在界面发生全反射，影响出光效率。

发明内容

本公开的目的是提供一种简单实用的发光二极管外延片及其制造方法。

为了实现上述目的，本公开提供一种发光二极管外延片的制造方法。所述方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次生长缓冲层、n型层、发光层和p型层；将微孔薄膜覆盖在所述p型层表面；在所述微孔薄膜表面进行刻蚀；去除所述微孔薄膜，以使所述p型层表面被粗化。

可选地，所述微孔薄膜的厚度为10-30um，所述微孔薄膜的微孔孔径为0.05-2um，微孔面积占所述微孔薄膜总面积的30-50％。

可选地，所述微孔薄膜包括以下中的任意一者：聚乙烯隔膜、聚丙烯隔膜、半透膜。

可选地，所述将微孔薄膜覆盖在所述p型层表面的步骤包括：利用微孔薄膜的表面张力，将所述微孔薄膜吸附在所述p型层表面。

可选地，所述在所述微孔薄膜表面进行刻蚀的步骤包括：应用电感耦合等离子刻蚀技术在所述微孔薄膜表面进行刻蚀，刻蚀深度为20-50nm。

本公开还提供一种发光二极管外延片。所述外延片包括衬底以及依次生长在所述衬底上的缓冲层、n型层、发光层、p型层，其中，所述p型层的表面经由微孔薄膜覆盖、刻蚀、以及去除所述微孔薄膜后被粗化。

可选地，所述微孔薄膜的厚度为10-30um，所述微孔薄膜的微孔孔径为0.05-2um，微孔面积占所述微孔薄膜总面积的30-50％。

可选地，所述微孔薄膜包括以下中的任意一者：聚乙烯隔膜、聚丙烯隔膜、半透膜。

可选地，微孔薄膜利用自身的表面张力被吸附在所述p型层表面。

可选地，应用电感耦合等离子刻蚀技术在所述微孔薄膜表面进行刻蚀，刻蚀深度为20-50nm。

通过上述技术方案，在LED外延片的p型层表面覆盖微孔薄膜后进行蚀刻，使得p型层的表面被粗化。这样，表面不平滑的p型层能够使得发光层发出的光更易从LED芯片内部射出，减少了光在p型层表面的全反射，从而增加了LED芯片的光出射率。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是一示例性实施例提供的LED外延片的制造方法的流程图；