[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；

在所述衬底的所述单元阵列区域上的地选择线；

在所述地选择线上的字线；

在所述地选择线与所述字线之间的绝缘层；

在与所述衬底的顶表面垂直的方向上穿过所述地选择线、所述字线和所述绝缘层的竖直通道部分；以及

在所述衬底的所述外围电路区域上的第一外围电路栅极图案，其中所述绝缘层从所述单元阵列区域连续地延伸到所述外围电路区域上以覆盖所述第一外围电路栅极图案的顶表面，

其中，覆盖所述第一外围电路栅极图案的顶表面的所述绝缘层的部分处于比不覆盖所述第一外围电路栅极图案的顶表面的所述绝缘层的部分高的高度处。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

在所述第一外围电路栅极图案和所述衬底之间的第一栅极绝缘图案，其中所述第一栅极绝缘图案的底表面比所述单元阵列区域中所述衬底的顶表面低。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，还包括：

在所述衬底的所述外围电路区域上的第二外围电路栅极图案；以及

在所述第二外围电路栅极图案和所述衬底之间的第二栅极绝缘图案，其中所述第一栅极绝缘图案的厚度大于所述第二栅极绝缘图案的厚度，并且其中所述第一栅极绝缘图案的顶表面与所述第二栅极绝缘图案的顶表面处于基本相同的高度处。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

从所述绝缘层和所述第一外围电路栅极图案的顶表面之间延伸到所述绝缘层和所述衬底之间的阻挡图案。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述阻挡图案包括与所述绝缘层不同的绝缘材料。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述阻挡图案包括：

在所述第一外围电路栅极图案的顶表面上的第一部分；以及

在所述第一外围电路栅极图案的侧壁上的第二部分，其中所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最小厚度。

7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述绝缘层位于所述地选择线和所述阻挡图案之间。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器件，还包括：

在所述衬底和所述地选择线之间的缓冲层，

其中所述缓冲层在所述绝缘层和所述衬底之间、在所述衬底和所述阻挡图案之间以及在所述阻挡图案和所述第一外围电路栅极图案之间延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器件，其中所述绝缘层与在所述地选择线和所述阻挡图案之间的所述缓冲层的顶表面接触。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一外围电路栅极图案的顶表面处于所述地选择线和所述字线之间的高度处。

11.一种半导体存储器件，包括：

衬底，包括单元阵列区域、外围电路区域以及在所述单元阵列区域和所述外围电路区域之间的接触区域；

第一堆叠结构，在所述衬底的所述单元阵列区域和所述接触区域上，所述第一堆叠结构在第一方向上延伸，并且包括第一地选择线、第一字线以及在所述第一地选择线和所述第一字线之间的第一绝缘部分；

竖直通道部分，在与所述衬底的顶表面垂直的方向上穿过所述单元阵列区域上的所述第一堆叠结构；

外围电路栅极图案，在所述衬底的所述外围电路区域上；以及

第二绝缘部分，覆盖所述外围电路栅极图案的顶表面，其中所述第二绝缘部分的顶表面低于所述第一字线的顶表面，并且其中所述第一绝缘部分连续地延伸到所述外围电路区域上，并且连接到所述第二绝缘部分，

其中，所述第二绝缘部分处于比所述第一绝缘部分高的高度处。