[发明专利]GaN衬底的表面处理方法

权利要求书

1.一种GaN衬底的表面处理方法，包括以下步骤：

准备一GaN衬底；

在所述GaN衬底表面进行高温热分解和再生长循环过程，每一循环包括：对GaN衬底进行高温热分解；以及进行GaN再生长。

2.根据权利要求1所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述循环过程的循环周期数1≤N≤30。

3.根据权利要求1所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述高温热分解过程包括通入流量为F₁的Ga源，以保证GaN的热分解速度大于GaN的生长速度。

4.根据权利要求1所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述GaN再生长过程包括通入流量为F₂的Ga源，以保证GaN的生长速度大于GaN的热分解速度。

5.根据权利要求1或3所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述高温热分解阶段的Ga源流量F₁为0≤F₁＜5sccm；热分解温度T₁为900℃～1100℃；GaN热分解时间t₁为10s≤t₁≤120s。

6.根据权利要求1或4所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述再生长阶段的Ga源流量为F₂＞5sccm；GaN再生长时间t₂为10s≤t₂≤60s；GaN再生长阶段温度T₂为900℃～1100℃。

7.根据权利要求1所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述GaN衬底为GaN同质衬底或GaN基板材料。

8.根据权利要求7所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述GaN同质衬底为GaN自支撑衬底材料或GaN同质外延材料。

9.根据权利要求7所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述GaN基板材料包括GaN异质衬底及其上异质外延GaN后形成的复合材料；所述GaN异质衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、金刚石、氮化铝或氧化锌。

10.根据权利要求1所述的GaN衬底的表面处理方法，其特征在于，所述GaN衬底的表面处理方法采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延法(MBE)和气相外延法(VPE)，优选地，所述GaN衬底的表面处理方法采用MOCVD方法。