[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质有效
申请号: | 201710728899.2 | 申请日: | 2017-08-23 |
公开(公告)号: | CN107785289B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 畠山真一;渡边圣之;西幸三;户塚诚也;吉原健太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 以及 记录 介质 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
喷嘴,其向基板喷出处理液;
压送部,其向所述喷嘴侧加压输送所述处理液;
送液管路,其具有从所述压送部侧向所述喷嘴侧排列的第一阀和第二阀,该送液管路用于从所述压送部向所述喷嘴引导所述处理液;以及
控制器,
其中,所述控制器构成为执行以下动作:
在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀;
控制所述压送部,以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升;以及
在控制所述压送部使所述第一阀和所述第二阀之间的压力上升之后打开所述第二阀。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制器构成为还执行以下动作:在所述第一阀和所述第二阀关闭的状态下控制所述压送部,以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压送部具有:罐,其用于收容所述处理液;加压部,其用于对所述罐内的所述处理液向所述喷嘴侧进行加压;以及第三阀,其用于释放所述罐内的压力,
控制所述压送部以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的动作包括打开所述第三阀的动作。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
控制所述压送部以使所述压送部与所述第一阀之间的压力比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的动作包括以下动作:控制所述加压部,使得以比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的第一压力来对所述罐内的所述处理液进行加压,
所述控制器在所述压送部与所述第一阀之间的压力成为所述第一压力的状态下执行以下动作:在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
控制所述压送部以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升的动作包括以下动作:控制所述加压部,使得在所述第二阀打开之后作用于所述处理液的压力比在所述第二阀打开之前作用于所述处理液的压力高。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制器构成为还执行以下动作:
在所述第一阀打开且所述第二阀关闭的状态下控制所述加压部,使得以比所述第一压力高的第二压力来对所述罐内的所述处理液进行加压;以及
在所述第一阀与所述第二阀之间的压力成为所述第二压力的状态下关闭所述第一阀,
在所述第一阀与所述第二阀之间的压力成为所述第二压力的状态下执行以下动作:控制所述加压部,使得以比所述第一阀与所述第二阀之间的压力低的第一压力来对所述罐内的所述处理液进行加压。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述控制器构成为还执行以下动作:在所述第一阀和所述第二阀打开的状态下控制所述加压部,使得以第三压力来对所述罐内的所述处理液进行加压,
所述第二压力比所述第三压力低。
8.根据权利要求3~5中的任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述压送部还具有第四阀,该第四阀用于阻断由所述加压部施加的压力,
打开所述第三阀的动作包括以下动作:将所述第三阀关闭且所述第四阀打开的状态切换为所述第四阀关闭且所述第三阀打开的状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造