[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置包括：旋转头，其被配置成支撑所述基板；喷嘴，其被配置成将化学品排出到位于所述旋转头上的所述基板；第一通道，其被配置成供应化学性质与所述化学品的化学性质相同的第一化学品；第二通道，其被配置成供应第二化学品，所述第二化学品的化学性质与所述第一化学品的化学性质相同；以及排出通道，其连接所述第一通道和所述第二通道，且连接所述喷嘴。

技术领域

本文所述的发明构思的实施方式涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

通常，通过在基板上以薄膜形式沉积各种材料并图案化所沉积的材料来制造半导体器件。为了实现这一点，需要几个阶段的不同工艺，例如沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺和清洁工艺。

其中，蚀刻工艺是去除基板上形成的膜的工艺，清洁工艺是在执行用于制造半导体器件的单元工艺之后去除残留在基板表面上的污染物的工艺。根据工艺执行方法，蚀刻工艺和清洁工艺分为湿式和干式，且湿式分为分批型和旋转型。

在旋转型中，通过在将基板固定至卡盘构件之后在使基板旋转的同时利用喷嘴将化学品或去离子水供应给基板，并且通过使用离心力将化学品或去离子水散布到基板的整个表面，从而对基板进行清洁或蚀刻。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了可以有效地处理基板的基板处理装置以及基板处理方法。

本发明构思的实施方式还提供了可以通过化学品均匀地处理基板区域的基板处理装置以及基板处理方法。

本发明构思的目的不限于上述的目的。本领域的技术人员将从下面的描述中清楚地了解未提及的其它技术目的。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种基板处理装置，包括：旋转头，其被配置成支撑所述基板；喷嘴，其被配置成将化学品排出到位于所述旋转头上的所述基板；第一通道，其被配置成供应化学成分与所述化学品的化学成分相同的第一化学品；第二通道，其被配置成供应第二化学品，所述第二化学品的化学成分与所述第一化学品的化学成分相同；以及排出通道，其连接所述第一通道和所述第二通道且连接所述喷嘴。

第一化学品的浓度可以高于第二化学品的浓度。

第一化学品的温度可以高于第二化学品的温度。

基板处理装置还可以包括：第一罐，其连接到第一通道且被配置成将第一化学品供应到第一通道；以及第二罐，其连接到第二通道且被配置成将第二化学品供应到第二通道。

所述第一化学品的温度可以高于所述第二化学品的温度，并且当所述喷嘴将所述化学品排出到所述基板的外部区域时，与所述喷嘴将所述化学品排出到所述基板的中心区域时相比，所述第一罐向所述喷嘴供应更大量的所述第一化学品。

所述第一化学品的浓度可以高于所述第二化学品的浓度，并且当所述喷嘴将所述化学品排出到所述基板的外部区域时，与所述喷嘴将所述化学品排出到所述基板的中心区域时相比，所述第一罐向所述喷嘴供应更大量的所述第一化学品。

基板处理装置还可以包括：循环通道，其将从第一罐排出的第一化学品再次引入第一罐中；以及加热器，其位于循环通道中。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板处理方法，包括：将基板定位在旋转头中；以及通过喷嘴将化学品排出到所述基板，其中，当所述化学品被排出到所述基板的外部区域时，与所述化学品被排出到所述基板的中心区域时相比，从所述喷嘴排出的所述化学品的浓度更高。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板处理方法，包括将基板定位在旋转头中；以及通过喷嘴将化学品排出到所述基板，其中，当所述化学品被排出到所述基板的外部区域时，与所述化学品被排出到所述基板的中心区域时相比，从所述喷嘴排出的所述化学品的温度更高。

附图说明