[发明专利]氮化物荧光体及发光装置

权利要求书

1.一种氮化物荧光体的制造方法，该方法包括：

准备具有下述组成的烧成物，所述组成中包含选自Ca、Sr、Ba及Mg中的至少一种元素、选自Li、Na及K中的至少一种元素、选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少一种元素、Al、以及N；以及

使所述烧成物与含有氟的物质接触，在150℃以上且500℃以下的温度下进行热处理，从而得到氮化物荧光体，当热处理温度为150℃以上且低于200℃时，进行8～10小时/次的热处理3次以上，

所述烧成物具有由下式(I)表示的组成，

M^a_vM^b_wM^c_xAl_3-ySi_yN_z (I)

式中，M^a是选自Ca、Sr、Ba及Mg中的至少一种元素，M^b是选自Li、Na及K中的至少一种元素，M^c为Eu，v、w、x、y及z分别为满足0.80≤v≤1.05、0.80≤w≤1.05、0.001＜x≤0.1、0≤y≤0.5、3.0≤z≤5.0的数，

所述氮化物荧光体在通过傅里叶变换红外光谱仪测定的氮化物荧光体的红外吸收光谱中，将450cm^-1以上且小于900cm^-1的波数区域的吸光度最大值设为1的情况下，

在将连结1200cm^-1～1600cm^-1的波数区域两端的吸光度值的直线设为基线A时，由所述基线A和1200cm^-1以上且小于1600cm^-1的波数区域的吸光度光谱包围的区域的积分值Z1为4.0以下，和/或

在将连结2700cm^-1～3680cm^-1的波数区域两端的吸光度值的直线设为基线B时，由所述基线B和2700cm^-1以上且小于3680cm^-1的波数区域的吸光度光谱包围的区域的积分值Z2为5.0以下。

2.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，所述热处理的温度为200℃以上且500℃以下。

3.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，所述含有氟的物质为选自F₂、CHF₃、CF₄、NH₄F、SiF₄、KrF₂、XeF₂、XeF₄、及NF₃中的至少一种。

4.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，所述热处理在非活性气体氛围中进行。

5.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，在所述式(I)中，M^a包含Ca及Sr中的至少一者。

6.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，在所述式(I)中，M^b至少包含Li。

7.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，在所述式(I)中，v为0.90以上且1.03以下的数，x为满足0.002≤x≤0.015的数。

8.如权利要求1所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，在得到的氮化物荧光体的结晶的表面具有：

包含含有氟的化合物的第一膜、

组成与所述第一膜不同且包含含有氟的化合物的第二膜。

9.如权利要求8所述的氮化物荧光体的制造方法，其中，

所述第一膜含有选自Ca、Sr、Ba及Mg中的至少一种元素和氟，

所述第二膜含有选自Ca、Sr、Ba及Mg中的至少一种元素、Al、N和氟。