[发明专利]制造半导体封装的方法

权利要求书

1.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

在支撑衬底上形成初步封装，所述初步封装包括连接衬底、半导体芯片、以及位于所述连接衬底及所述半导体芯片上的模制图案；

在所述模制图案上形成缓冲图案；

在所述缓冲图案及所述模制图案上形成载体衬底，所述载体衬底包括与所述缓冲图案接触的第一部分及与所述模制图案接触的第二部分；

移除所述载体衬底；以及

将所述缓冲图案从所述模制图案分离，

其中所述模制图案设置在所述半导体芯片的非有源面上，所述模制图案在所述连接衬底和所述半导体芯片之间延伸，且

其中所述缓冲图案包括非粘性材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，移除所述载体衬底包括：

第一移除工艺，通过对所述载体衬底执行锯切工艺来移除所述载体衬底的所述第二部分；以及

第二移除工艺，将所述载体衬底从所述缓冲图案分离。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：

移除所述支撑衬底，以暴露出所述初步封装的下表面；以及

在所述初步封装的所述下表面上形成重布线衬底，

其中移除所述载体衬底是在形成所述重布线衬底之后执行。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述重布线衬底包括绝缘图案及重布线图案。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述重布线图案电连接到所述半导体芯片及所述连接衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在俯视图中，所述载体衬底的所述第二部分与所述初步封装的边缘区重叠。

7.一种制造半导体封装的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供初步封装，所述初步封装包括连接衬底、半导体芯片及模制图案；

在所述模制图案的第一部分上提供缓冲图案，所述缓冲图案暴露出所述模制图案的第二部分的上表面；

在所述缓冲图案及所述模制图案上提供载体衬底，所述载体衬底接触所述模制图案的所述第二部分的所述上表面；

移除所述模制图案的所述第二部分，以将所述载体衬底自所述模制图案分开；以及

将所述缓冲图案从所述模制图案分离，

其中所述模制图案设置在所述半导体芯片的非有源面上，所述模制图案在所述连接衬底和所述半导体芯片之间延伸。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述载体衬底通过所述模制图案的所述第二部分贴合到所述初步封装。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括：在将所述载体衬底分开之后，从所述初步封装移除所述载体衬底。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括：在移除所述载体衬底之后，将上部封装设置在所述模制图案上，

其中所述连接衬底包括基础层及位于所述基础层中的导电构件，且

其中所述上部封装电连接到所述导电构件。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述模制图案的所述第二部分设置在所述初步封装的边缘区中。

12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，移除所述模制图案的所述第二部分包括锯切所述载体衬底及所述初步封装，以使所述模制图案的所述第二部分从所述模制图案的所述第一部分分离。

13.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，移除所述模制图案的所述第二部分包括对所述初步封装的侧壁进行化学蚀刻。

14.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在提供所述载体衬底之后，所述模制图案的所述第二部分的所述上表面与所述缓冲图案的上表面实质上共面。